當地時間12月7日，韓國科技媒體Etnews援引業內人士消息爆料稱，SK海力士正與東進世美肯（Dongjin Semichem）合作，著手開發高性能EUV光刻膠，旨在實現這一半導體核心材料的國產化供應并降低對日本的依賴。

一位熟悉該事務的相關人士表示：“（SK海力士）需要性能優于日本產品的材料”，并稱“據我了解，他們特別要求改善光刻膠的光敏性（Sensitivity），以提高生產效率。”

針對有關消息，SK海力士相關人士并未予以否認。SK海力士方面表示：“具體的開發內容無法公開”，但補充道，“公司正在與包括材料商在內的多家企業持續合作，以改善生產效率。”

據介紹，光刻膠是光刻工藝中使用的材料。當向晶圓照射光線（曝光）以刻印半導體微細電路時，在晶圓表面對光產生反應的物質就是光刻膠。而提高光刻膠的感光度可以縮短曝光時間，所以能在更短時間內刻印微細電路，也就意味著生產效率的提高。

圖片轉自ASML

此外，隨著DRAM中EUV光刻層數的增加，光刻膠開發的必要性也隨之增大。各代產品的EUV層數分別為：10納米級第4代（1a）1層，第5代（1b）3層，第6代（1c）5層，第7代（1d）7層。業界普遍預計，EUV技術在10納米以下的產品中還會進一步增加。

但目前為止，包括JSR、信越化學、東京應化TOK等日本供應商占據了高端光刻膠市場的大部分份額，尤其是在7nm以下的先進制程市場，包括海力士、三星在內的韓企長期以來高度依賴日本供應商。但在2019年，因韓日兩國的貿易爭端，日本一度宣布對包括光刻膠在內的關鍵芯片制造材料實施出口限制，導致韓國的芯片企業生產“脫軌”。此后，韓國業界一直致力于推動芯片供應鏈的國產化，降低對日本的依賴。

據《韓國經濟日報》報道，韓國對日本光刻膠進口的依賴度已從2018年的93.2%下降至2024年的65.4%。同期，從日本進口的高純度氟化氫下降了62.5%，金額從1.6億美元降至6000萬美元。

此前，SK海力士曾在2023年通過子公司SK Materials Performance實現了部分EUV光刻膠國產化，但僅限于低規格產品。此次SK海力士與東進世美肯的合作，野心更大——他們不僅想做日本產品的國產化替代，更意圖開發出優于日本競品的材料。

然而，韓國要在尖端半導體工藝中實現自給自足仍然面臨嚴峻挑戰。據介紹，EUV光刻膠的技術復雜性遠高于傳統的ArF光刻膠。雖然韓國在ArF光刻膠方面取得了進展，該材料主要用于10到130納米的成熟制造工藝。然而，在用于7nm及以下先進制程的極紫外（EUV）光刻膠領域，韓國仍然落后。

Etnews也分析稱，材料開發需要相當長的時間，加上EUV光刻膠的準入門檻很高，目前很難預測SK海力士和東進世美肯的合作會產生什么樣的結果。除了研發本身需要極大的投入，目前EUV光刻膠市場絕大多數份額由日本企業掌控。這些巨頭積累了數十年的專利壁壘和生產經驗，新進入者很難繞開其專利網，同時也面臨巨大的價格戰壓力。

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