IT之家 12 月 1 日消息,據(jù)韓媒 The Elec 上周(11 月 27 日)報道,三星電子將在明年 2 月舉行的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上展示 HBM4。
據(jù)報道,三星這次計劃展示的 HBM4 容量為 36GB、帶寬 3.3TB/s,相比上個月展出的 36GB、24TB/s 的 HBM4 在帶寬上得到進一步提升,三星還通過堆疊結(jié)構(gòu)與重新設(shè)計接口提升了速度和能效。
一位行業(yè)人士解釋道:“三星在每個通道上應(yīng)用了硅通孔(TSV)路徑的對準信號(TDQS)自動校準技術(shù),從而提高高速區(qū)間的信號準確度,針對 AI 大模型等高流量場景進行了優(yōu)化”。
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值得注意的是,三星的對手 SK 海力士也將在明年 2 月公開下一代存儲技術(shù),有望一并展示單 Pin 速率達 14.4Gb/s 的 LPDDR6 內(nèi)存,配備基于低壓差穩(wěn)壓器(IT之家注:LDO)的 WCK 時鐘分配架構(gòu),可在超高速的情況下保持信號穩(wěn)定,相比上一代 LPDDR5X 提升更高。
此外,SK 海力士還將公開展示 GDDR7 顯存,單 Pin 速度最高可達 48Gb/s,容量 24Gb,最大的特點就是可以將通道分成兩部分,可同時進行讀寫操作,面向 GPU、AI 邊緣推理、高分辨率游戲等場景。
作為參考,ISSCC 2026 將在明年 2 月 15 日至 2 月 19 日在美國舊金山舉行,其中的參會者大部分是企業(yè)研究人員,因此預(yù)計會有大量接近量產(chǎn)的新技術(shù)會在大會上首次亮相。





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