IT之家 11 月 28 日消息，SK 海力士于 2025 年 11 月 16 日至 21 日在美國圣路易斯舉行的全球頂級高性能計算（HPC）盛會超級計算大會 2025（SC25）上，集中展示了面向人工智能（AI）與高性能計算時代的一系列先進(jìn)存儲技術(shù)。

本屆展會上，SK 海力士重點展出了其 HBM、DRAM 及企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）三大核心產(chǎn)品線，并設(shè)置了面向 AI 與 HPC 應(yīng)用場景的現(xiàn)場演示環(huán)節(jié)。

在展臺核心區(qū)域，SK 海力士重點展示了包括全球首款 12 層堆疊 HBM4 在內(nèi)的最新高帶寬存儲器產(chǎn)品。該產(chǎn)品于 2025 年 9 月率先實現(xiàn)業(yè)界首發(fā)，單顆芯片集成 2,048 個 I/O 通道，較上一代 HBM3 提升一倍，帶寬實現(xiàn)顯著躍升；同時功耗效率提升超 40%，是超大規(guī)模 AI 計算系統(tǒng)的理想存儲解決方案。此外，公司還聯(lián)合英偉達(dá)（NVIDIA）展示了當(dāng)前市場上性能最強(qiáng)的商用 HBM 產(chǎn)品 ——12 層堆疊 HBM3E，該產(chǎn)品將搭載于英偉達(dá)下一代 GB300 Grace Blackwell GPU 平臺。

在 DRAM 展區(qū)，SK 海力士面向下一代服務(wù)器市場推出了基于 1c 節(jié)點（第六代 10 納米級制程）的 DDR5 系列模組，包括 RDIMM 與 MRDIMM 產(chǎn)品，并重點呈現(xiàn)了 256 GB 容量的 3DS DDR5 RDIMM 與 256 GB DDR5 Tall MRDIMM。上述產(chǎn)品在高性能系統(tǒng)環(huán)境中展現(xiàn)出更高速率與更高能效，可為服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心提供穩(wěn)定可靠的運行保障。

IT之家注意到，企業(yè)級 SSD 方面，SK 海力士展示了覆蓋高容量、高性能需求的多款 eSSD 產(chǎn)品：

基于 176 層 4D NAND 技術(shù)的 PS1010 E3.S 與 PE9010 M.2；采用 238 層 NAND 的 PEB110 E1.S；基于 QLC NAND 架構(gòu)的 PS1012 U.2；以及行業(yè)首創(chuàng)、搭載 321 層 QLC NAND 的 245 TB 超大容量 PS1101 E3.L。

上述產(chǎn)品不僅提供領(lǐng)先的存儲容量，更通過 PCIe 4.0/5.0 高速 I/O 接口實現(xiàn)極速數(shù)據(jù)吞吐。此外，該公司還展出了面向多元化服務(wù)器部署環(huán)境的完整存儲產(chǎn)品組合，包括廣泛應(yīng)用于入門級服務(wù)器與 PC 的 SATA 3 接口 SE5110 SSD。