摘要：

芯片漲價潮不止：制造業開香檳，手機電腦小廠邁入生死存亡。

科技 出品

作者｜王亮

編輯｜趙子坤、董雨晴

一場被稱為“超級周期”的存儲芯片漲價潮，正持續沖擊全球電子產業鏈。

2025年第四季度，三星、海力士等國際存儲原廠已向客戶發出通知：DRAM內存和NAND閃存價格將上調最多30%。而這只是序幕。閃迪在11月將NAND閃存合約價大幅調漲50%，已是其年內第三次漲價。

調研機構集邦咨詢的數據顯示，自9月初至今，DDR4 1Gx8顆粒現貨價格環比上漲158%，DDR5 2Gx8顆粒更是大漲307%。NAND閃存因供應極度緊張，報價幾乎每日波動。

“這輪漲價從第二季度開始，核心驅動力是AI。”存儲方案解決商科摩思市場總監辜建文對科技表示，根據行業觀察，單臺頂配AI訓練服務器的DRAM用量可能達到傳統服務器的8倍，需求爆發導致上游將產能轉向高利潤的HBM（高帶寬內存）和DDR5，原有DDR4產能被擠壓，市場出現缺口。

近期，科技獲悉，國產品牌長鑫存儲，全球第四大DRAM原廠——也跟隨趨勢，宣布未來聚焦DDR5等高端產品，并于11月發布首款國產DDR5產品，而在10月，其剛剛發布應用于手機、筆記本等低功率場景的LPDDR5X產品。其市場中心負責人駱曉東強調，中國需要穩定的國產DRAM產能，以減少對海外廠商的依賴。

終端震蕩：從華強北到手機大廠

漲價效應正快速向下游傳導。

深圳華強北一家電腦維修店的老板楊興國發現，近兩個月硬盤價格普遍漲了350元。他常賣的金士頓NV3 1TB硬盤，拿貨價從350元漲到700元。“一天一個價格，比投資黃金都劃算。”他說。渠道囤貨現象也隨之而來，一家小貿易商也對科技表示：“同行都在囤存儲的貨，等漲價賣出去，低價回收高價出。”

作為向原廠采購晶圓的模組廠，長期與國內外存儲原廠有緊密合作的科摩思，感受到供貨周期被拉長。其市場總監辜建文表示，目前漲勢主要看上游原廠價格政策進行調整，這導致采購成本波動加劇，對客戶的交付周期也隨之延長。

辜建文告訴科技：“其實近期漲價潮讓上游、中游和下游部分囤貨商都獲得了短期紅利，接下來才是重點難題，各終端手中的庫存消耗完后，怎么拿到合適價格的貨，什么時候入？”

辜建文還發現，客戶的備貨策略也出現了明顯的變化——B端客戶備貨由短變長。在漲價初期，他們多數認為漲幅有限、趨勢平穩，采購以滿足短期生產需求為主。但近兩月價格漲勢幅度變大，他們從短期訂單轉向長期大量備貨，提前鎖定BOM（物料清單）成本和保障產品供應，有的已備貨至2026年第二甚至第三季度。

壓力直接體現在消費電子產品上。小米10月發布的紅米K90系列手機，全系起售價較上一代上漲100-500元。小米總裁盧偉冰公開解釋，存儲成本上漲“遠高于預期”，且難以通過提價完全覆蓋。Counterpoint報告指出，智能手機BOM成本顯著攀升，部分機型漲幅可能高達15%，這將進一步壓縮中高端市場的利潤率。

并非所有廠商都選擇跟漲。華為11月發布的Mate 80系列，標準版價格反而比前代低了800元。一升一降，背后是市場定位的差異與策略的分化。紅米K系列定位中端，華為Mate系列定位高端。

集邦咨詢已下調2026年全球智能手機和筆記本電腦出貨預測，分別調整為年減2%及2.4%。其報告指出，存儲器供應緊張可能引發市場新一輪洗牌，“大者恒大”趨勢將更加明確。

目前，包括戴爾、惠普、小米、聯想等消費電子終端廠商，均對DRAM內存價格上漲表示預警。

至于終端廠商最終是否會有更大程度的風險？辜建文認為，目前對于終端廠商的成本壓力較大，終端廠家可能會調整生產節奏，根據現有庫存量調節生產量以此控制成本。

來自華強北的貿易商迅豐達電子的“存儲老K”對科技表示，“目前有的工廠產品售價比較高的，還是會繼續采購全新原裝的存儲芯片。 一些中低端產品的工廠接受不了目前高價的存儲芯片會選擇采購替代料，比如一些平價的國產品牌，甚至會采購一些二手料去生產。 有些工廠依舊承受不了的話，在沒有違約的情況下，就可能會選擇停產或轉型。”

辜建文表示，按照目前漲勢，下游客戶BOM成本上漲，最終的成本是分攤到消費終端。屆時，對于電子產品換新需求和頻率是否能增長，存在一定疑問。“消費終端的消費力會同步反饋到我們產業鏈的企業備貨量。當價格高到一個程度的時候，消費者無法承受的時候，就會造成需求的減少。”他說。

在中芯國際Q3業績會上，聯合CEO趙海軍表示，存儲大周期對制造業是正面影響，但對終端廠商OEM來說，帶來了價格壓力和供應保障的挑戰。其表示，從存儲器市場規律看，供需的微小失衡會引發價格劇烈波動，根據觀察，存儲市場如果供應減少5%，價格會翻倍；如果供過于求5%，價格會跌一半。現在至少有接近這樣的缺口，因此高價位會持續。

國產儲存的窗口期來了？

這輪由AI驅動的“超級周期”，也為國產存儲廠商打開了窗口。

集邦咨詢數據顯示，2025年第三季度DRAM產業營收環比增長30.9%，達414億美元。預計第四季度一般型DRAM合約價將環比上漲45-50%。

長鑫存儲在11月23日發布DDR5系列最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，LPDDR5X最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb。據稱，這兩大產品系列速率、容量雙維度均位居業界第一梯隊，這標志著國產存儲芯片具備與國際一線大廠同臺競技的技術實力。

長鑫存儲市場中心負責人駱曉東表示，當前DRAM需求的爆發式增長對市場供給、價格都帶來了巨大的影響，中國需要有穩定的國產DRAM產能供應，通過產能擴張和規模效應，減少對海外廠商產能的依賴。

而此前，長鑫存儲母公司長鑫科技已于10月10日完成A股IPO輔導驗收，按照常規上市節奏，預計將于近幾個月內提交上市申請。

與長鑫存儲存在關聯的兆易創新，在11月24日的第三季度業績會上宣布，公司計劃于2026年實現自主研發的LPDDR4X系列內存產品量產，且已啟動小容量LPDDR5X產品的研發布局。

值得提及的是，兆易創新已累計向長鑫科技投資超23億元人民幣，持有長鑫科技約1.88%股權。雙方在業務上也有密切的協同關系，長鑫存儲為兆易創新提供DRAM產品的代工服務，兆易創新則采購長鑫存儲的DRAM產品，并用于其自身的DRAM業務拓展，主要是在利基型DRAM市場。

利基型存儲包括利基型DRAM、SLC NAND和NOR Flash等，在制程、容量、應用場景等方面與主流存儲產品不同，主要面向電視、工業控制、電力以及AI相關應用中的電源管理模塊、RAID卡等特定領域。民生證券在《利基型存儲深度報告》中指出，隨著國際大廠退出利基存儲市場，國產廠商有望承接份額。

趙海軍在中芯國際業績會上也稱，AI行業占用了大量產能，導致大供應商放棄了那些“碎片化、少量多樣”的市場，而這些被遺忘的市場，正是國內中小供應商的機遇。他同時透露，中芯國際的NOR Flash、NAND Flash等特色存儲產品目前訂單充足，正是得益于這種溢出效應。

兆易創新也專注于NOR Flash、SLC NANDFlash、利基型DRAM等產品的研發設計。其高管在第三季度業績說明會上表示，利基型DRAM市場呈現明顯的供不應求現象，海外廠商將經營重點轉向HBM和DDR5，導致利基型DRAM產能受到擠壓。初步預計漲價趨勢在未來的兩個季度有望得以延續，并在明年后續幾個季度維持相對較高的價格水平。

公司也明確表示，長鑫科技協同為兆易創新的利基型DRAM產品提供了穩定產能保障。

在NAND領域，兆易創新專注高性能SLC NAND Flash。隨著三星、美光等轉向3D NAND并逐步退出2D NAND市場，專注細分市場的企業迎來機會。兆易創新的SLC NAND產品已開始漲價，預計趨勢將在明年延續。

招商電子在近期報告中指出，存儲行業上行周期中，國內模組公司正快速扭虧為盈，利基存儲及產業鏈公司將持續受益。但分析師也提醒，行業新進入者增多可能導致競爭加劇，若國產產品質量缺乏競爭力，替代進程或將放緩。