7月4日消息，2023年末，光刻機巨頭ASML向Intel交付首套高數值孔徑High-NA EUV光刻機，型號為 TWINSCAN EXE：5000。

當時業界普遍認為，High-NA EUV將對先進芯片開發和下代處理器生產發揮關鍵作用。

但時至今日，各大晶圓代工廠都在減少依賴High-NA EUV，延后導入時間。 特別是Intel董事發言，讓市場對High-NA EUV光刻機的前景產生更多疑問。

據不愿意透露姓名的Intel董事說法，新晶體管設計如GAAFET和CFET，降低芯片制造對先進光刻設備（尤其是EUV光刻機）的依賴。

這些設計是從四面包裹柵極，更偏用蝕刻去除多余材料，而不是增加晶圓曝光時間以縮小電路尺寸。 芯片生產時橫向重要性日益增加，High-NA EUV 重要性就沒那么重要了。

該董事認為，像環繞柵極場效應晶體管（GAAFET）和互補場效應晶體管（CFET）這樣的新型設計，將顯著增加光刻之后制造步驟（特別是刻蝕技術）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導地位。

一般來說，芯片制造流程始于光刻，先將設計圖案轉移到晶圓表面。隨后通過沉積添加材料，并通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結構。

該董事指出，未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特征尺寸，轉向更復雜、更關鍵的刻蝕工藝，以確保這些新型三維晶體管結構的精確成型。這預示著芯片制造技術路線可能迎來重大轉變。

事實上，前不久臺積電也表達過類似的觀點。1.4nm級工藝技術不需要High-NA EUV光刻機，目前找不到非用不可的理由。

“對于A14來說，我之前提到的性能提升在不使用高數值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術團隊正在持續尋找延長現有EUV壽命的方法。”

據了解，ASML最新一代的高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機是目前世界上最先進光刻機，單價高達4億美元，如此高昂的價格讓很多廠商望而卻步。

截止目前，ASML已向客戶交付總共5臺，包括Intel、三星。 其重達180噸、體積如同雙層巴士，堪稱全球最昂貴的半導體制造設備之一。（朝暉）