6 月 6 日消息，NAND 閃存巨頭鎧俠 KIOXIA 當地時間昨日于公司戰略會議宣布了其在 AI 時代的中長期增長戰略，其中提到該企業正開發一款面向 AI 應用超高速度、超強性能需求的固態硬盤。

這款 SSD 將結合 XL-FLASH 高性能 SLC NAND 和新的固態硬盤主控，在隨機讀取中可提供 10M IOPS，是現有企業級 TLC PCIe 5.0 SSD 水平（注：3000+K IOPS）的三倍。鎧俠計劃在明年下半年實現這一產品的出樣。

而在介于存儲金字塔 DRAM 和普通 NAND 間的 SCM 層級中，鎧俠還計劃在 2026 年下半年出樣支持 CXL 的 XL-FLASH 存儲產品。此外其正與南亞科技聯手開發 4F2 布局的氧化物半導體 (IGZO) 通道晶體管 DRAM 內存 OCTRAM，可實現低漏電流和低功耗。

鎧俠此次也分享了其 NAND 閃存路線圖，未來的 BiCS 10 將達到 332L，最大容量 2Tb，接口速率可達 4800MT/s，同時讀取延遲、寫入功耗和比特密度方面都將得到改進。