眾所周知，目前全球只有ASML一家能夠研發出EUV光刻機。

而EUV光刻機，又是所有芯片制造企業，進入7nm以下工藝的必備設備，所以說，這也相當于ASML卡住了全球所有芯片制造企業的脖子，只要想進入7nm以下，就得找ASML。

但ASML在銷售ASML光刻機時，自己說了不算，要聽美國的，而美國不允許ASML賣EUV給中國。

所以，我們只有自研EUV光刻機，才能制造出7nm以下的芯片。雖然說浸潤式DUV似乎也行，但需要多次曝光，良率太低，成本太高，無法大規模量產。

所以一直以來，中國也在努力的進行突破，希望早日能夠研發出屬于自己的EUV光刻機，那么禁令什么的就成廢紙了。

EUV光刻機，最為核心的主要是三大系統，分別是光源系統，物鏡系統和工作臺。

其中光源系統是核心，所謂的光源系統，就是怎么樣穩定、高效的產生13.5nm的極紫外線。

ASML的作法是將高功率二氧化碳激光脈沖，照射在直徑為30微米的錫滴液靶材上，激發出高功率的 13.5 nm的等離子體，將其作為光刻機的光源。

這種辦法最大的缺點是什么呢，那就是轉換效率太低，只有3%左右，也就是100W的輸入功率，最后可能只有3W輸出功率，這也是為何EUV光刻機是耗電大戶的原因。

而近日，中國研發團隊，在EUV光線的產生上，有了重大突破。

上海光機所林楠團隊宣布突破了極紫外EUV光源平臺，離造出EUV光刻機又近了一步。

林楠團隊采用的是一種固體激光驅動技術，用1 μm固體激光激發Sn等離子體，一樣能夠產生13.5 nm極紫外線。

且這種方法的最大轉換效率可能接近6%，遠高于ASML使用的二氧化碳激光脈，是其2倍左右。

估計有些人會覺得這不靠譜，那我就再說一說，林楠可不是普通人，之前他曾任ASML公司研發科學家、研發部光源技術負責人，在2021年時，林楠作為國家海外高層次人才回國，為國效力。

而在加入ASML之前，他師從2023年諾貝爾物理學獎得主安妮·呂利耶（Anne L’Huillier），很明顯在這一塊，可以說，他有經驗，有技術，有能力的大拿級別的人物。

目前林楠團隊的研究，發表在《中國激光》2025年的第6期雜志上。

不過針對中國在EUV光源上的進步，ASML的CEO克里斯托夫·富凱則稱，中國也許能制造出一些EUV光源，但一臺EUV光刻機可不只是EUV光源，如果要制造出一臺EUV光刻機，中國可能還需要很多很多年的時間。

不得不說，他說的是事實，但只要我們對這些核心系統，一一突破，那么離EUV光刻機也不遠了，至少我們是越來越近了。