5月15日，據(jù)相關(guān)爆料透露，蘋果正研發(fā)多項(xiàng)技術(shù)用于2027年推出的20周年版iPhone。其中，HBM(高帶寬)技術(shù)是關(guān)鍵發(fā)展方向，該技術(shù)有望大幅提升iPhone的性能，尤其是在設(shè)備端人工智能(AI)方面。

HBM，全稱為High Bandwidth Memory(高帶寬內(nèi)存)，是一種基于3D堆疊技術(shù)的全新高性能DRAM。它利用TSV(硅通孔)工藝將多個(gè)內(nèi)存芯片垂直堆疊，在提高數(shù)據(jù)吞吐量的同時(shí)降低功耗并縮小內(nèi)存芯片體積。與傳統(tǒng)的2D內(nèi)存相比，HBM通過立體互聯(lián)實(shí)現(xiàn)了更高的集成度和更快的讀寫速度。

蘋果計(jì)劃將移動(dòng)HBM與iPhone的GPU單元連接，以增強(qiáng)設(shè)備端的AI計(jì)算能力。這項(xiàng)技術(shù)對于運(yùn)行端側(cè)AI大模型至關(guān)重要，不僅可以避免電量過快耗盡，還能顯著降低計(jì)算延遲。HBM與處理器通過相同的Interposer中間介質(zhì)層實(shí)現(xiàn)緊湊連接，這種設(shè)計(jì)既節(jié)省了芯片面積，又減少了數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間。

據(jù)稱，蘋果已與三星電子和SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商就HBM內(nèi)存供應(yīng)計(jì)劃進(jìn)行了討論。三星正在開發(fā)VCS的封裝方案，而SK海力士則采用VFO技術(shù)，兩家公司都計(jì)劃在2026年后實(shí)現(xiàn)HBM內(nèi)存的量產(chǎn)。

盡管HBM內(nèi)存技術(shù)優(yōu)勢明顯，但在移動(dòng)設(shè)備中的應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)。HBM的制造成本遠(yuǎn)高于現(xiàn)有的LPDDR內(nèi)存。作為一款輕薄設(shè)備，iPhone的散熱問題將是一個(gè)重要考驗(yàn)。此外，3D堆疊和TSV工藝采用高度復(fù)雜的封裝工藝，良率也是一個(gè)不容忽視的挑戰(zhàn)。