消息稱SK海力士2026年全力擴(kuò)充非HBM通用DRAM內(nèi)存產(chǎn)能,充分利用現(xiàn)有資源
2025年Q3全球DRAM市場營收大增30.9%,SK海力士仍居榜首
此次擴(kuò)產(chǎn)的核心是SK海力士位于韓國利川的生產(chǎn)基地
SK啟方半導(dǎo)體進(jìn)軍碳化硅晶圓代工,目標(biāo)年內(nèi)推出1200V工藝技術(shù)
消息稱三星電子、SK海力士目標(biāo)明年上半年完成HBM4E研發(fā),定制化成競爭關(guān)鍵
SK海力士正研發(fā)高帶寬存儲(chǔ):16層DRAM和NAND芯片層層堆疊,為手機(jī)AI性能加buff
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