IT之家 11 月 10 日消息，據韓國“電子新聞”今日報道，高帶寬內存（HBM）的發展，正在推動存儲大廠 SK 海力士攻克新的性能瓶頸 —— 研發高帶寬存儲（HBS）。這項新技術有望讓未來的智能手機和平板電腦具備更強大的 AI 算力。

SK 海力士計劃采用一種名為垂直導線扇出（VFO）的封裝工藝，將最多 16 層 DRAM 與 NAND 芯片垂直堆疊，從而顯著提升數據處理速度。

IT之家從報道中獲悉，VFO 封裝是 HBS 能否成功的關鍵。SK 海力士早在 2023 年就首次展示這項技術，之后隨著生成式 AI 普及，HBS 正逐漸進入智能手機和平板電腦。

直線連接堆疊的 DRAM 和 NAND 芯片，VFO 取代了傳統的彎曲導線連接方式，既縮短了布線距離，又減少信號損耗與延遲，并能支持更多 I/O 通道，使整體數據處理性能大幅提升。

未來 HBS 將與手機芯片組一起封裝，再安裝到設備主板上。外界普遍認為，驍龍 8 至尊版 Gen 6 Pro 具備同時兼容 LPDDR6 與 UFS 5.0 的能力，因此被視為 HBS 的潛在首發平臺。

與 HBM 相比，HBS 無需采用硅通孔（TSV）工藝，意味著芯片制造不必穿孔，成本更低、良率更高。對于希望在設備中采用這種新型存儲方案的廠商而言，這無疑是一大利好。

據悉，蘋果正計劃在未來的設備中使用 HBM 和 TSV，讓 iPhone 能夠在本地運行更復雜的 AI 模型，因此蘋果開始研究 HBS 也在情理之中。