SK海力士正在大舉擴(kuò)張先進(jìn)內(nèi)存芯片產(chǎn)能，押注人工智能應(yīng)用從訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理帶來的市場機(jī)遇。

11月20日，據(jù)韓國媒體報(bào)道，韓國內(nèi)存芯片巨頭——SK海力士計(jì)劃明年將第六代10納米DRAM（1c DRAM）月產(chǎn)能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達(dá)8至9倍，占其DRAM總產(chǎn)能的三分之一以上。

報(bào)道稱，據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)消息人士透露，擴(kuò)產(chǎn)后的1c DRAM將主要用于生產(chǎn)GDDR7和SOCAMM2等產(chǎn)品，以滿足英偉達(dá)等大型科技公司的訂單需求。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映出AI推理應(yīng)用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，該公司正將戰(zhàn)略重心從高帶寬內(nèi)存（HBM）擴(kuò)展至更廣泛的AI內(nèi)存市場。

同時(shí)，據(jù)華爾街見聞此前文章，SK海力士近期與英偉達(dá)完成HBM4供應(yīng)談判，成功將價(jià)格提升逾50%至每顆500美元以上。據(jù)媒體報(bào)道，該公司已提前售罄明年產(chǎn)能，在HBM和通用DRAM市場均占據(jù)有利定價(jià)地位。

業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，SK海力士明年設(shè)施投資額將輕松突破30萬億韓元，較今年預(yù)計(jì)的25萬億韓元大幅增長。市場預(yù)測該公司明年?duì)I業(yè)利潤有望超過70萬億韓元，創(chuàng)下歷史新高。

尖端制程產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)跨越式擴(kuò)張

SK海力士的產(chǎn)能提升計(jì)劃集中在最先進(jìn)的1c DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

報(bào)道指出，據(jù)行業(yè)消息人士透露，該公司計(jì)劃明年在利川園區(qū)通過工藝升級新增14萬片月產(chǎn)能，這被視為"最低增幅"。部分業(yè)內(nèi)人士表示，SK海力士也在考慮將月產(chǎn)能提高16萬至17萬片。

按照SK海力士目前每月平均50萬片DRAM晶圓進(jìn)料量計(jì)算，超過三分之一的產(chǎn)能將投入到先進(jìn)的1c DRAM生產(chǎn)。

該公司已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產(chǎn)品。

這一激進(jìn)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃顯示SK海力士對AI驅(qū)動的內(nèi)存需求持續(xù)繁榮抱有強(qiáng)烈信心。分析指出，相比需要復(fù)雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產(chǎn)效率更高，能夠更快速響應(yīng)市場需求的爆發(fā)式增長。

AI推理應(yīng)用重塑市場需求結(jié)構(gòu)

SK海力士戰(zhàn)略調(diào)整的核心邏輯在于AI應(yīng)用重心的轉(zhuǎn)變。

報(bào)道稱，此前該公司將產(chǎn)能重點(diǎn)放在HBM上，判斷HBM需求增長將超過通用DRAM。但隨著AI模型從學(xué)習(xí)擴(kuò)展到推理領(lǐng)域，通用DRAM的需求增速預(yù)計(jì)將與HBM相當(dāng)。

在AI推理應(yīng)用中，比HBM更節(jié)能、更經(jīng)濟(jì)的先進(jìn)通用DRAM成為主流選擇。

英偉達(dá)近期發(fā)布的AI加速器Rubin CPX采用的是GDDR顯存而非HBM顯存，直接部署在處理器旁邊。谷歌、OpenAI和亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)等大型科技公司也在開發(fā)集成大量通用DRAM的定制AI加速器。

英偉達(dá)使用的SOCAMM2內(nèi)存模塊同樣采用1c DRAM。SOCAMM是英偉達(dá)主導(dǎo)的面向AI服務(wù)器和PC的內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)，與HBM相比帶寬較低但能效更高。

英偉達(dá)計(jì)劃在其專有CPU Vera旁邊部署SOCAMM2，業(yè)內(nèi)人士預(yù)測SK海力士將獲得一定數(shù)量的供應(yīng)訂單。

據(jù)DRAMeXchange數(shù)據(jù)，DDR4固定交易價(jià)格9月突破7美元，創(chuàng)6年10個(gè)月來新高。這是因?yàn)榻曛饕鎯π酒髽I(yè)集中擴(kuò)充HBM產(chǎn)線，導(dǎo)致通用型DRAM供應(yīng)瓶頸蔓延。

一位業(yè)內(nèi)人士表示，隨著推理AI市場快速擴(kuò)張，存儲芯片供應(yīng)短期內(nèi)無法跟上需求。

HBM4漲價(jià)逾50%鞏固盈利能力

據(jù)華爾街見聞文章，媒體早前報(bào)道指出，SK海力士在與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)談判中成功將價(jià)格提升逾50%至每顆500美元以上。這款HBM4將搭載于英偉達(dá)明年下半年發(fā)布的下一代人工智能芯片Rubin。

HBM4的大幅提價(jià)有技術(shù)基礎(chǔ)支撐。該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸通道達(dá)到2048個(gè)，是前代HBM3E的兩倍。

此外，連接圖形處理器和HBM的基礎(chǔ)芯片中新增了計(jì)算效率和能源管理等邏輯工藝。考慮到這些技術(shù)進(jìn)步帶來的成本增加，SK海力士從HBM4開始將此前自主生產(chǎn)的基礎(chǔ)芯片外包給臺積電。

英偉達(dá)最初對大幅漲價(jià)表現(xiàn)出抗拒，考慮到三星電子和美光將大規(guī)模供應(yīng)HBM4，雙方一度陷入僵持。

但最終供應(yīng)價(jià)格敲定在SK海力士提議的水平。一位SK海力士高管表示，考慮到工藝進(jìn)步和投入成本，HBM4具備大幅提價(jià)的因素。

SK海力士今年3月率先向英偉達(dá)交付全球首個(gè)HBM4 12層堆棧樣品，6月即開始供應(yīng)初始批次。

該公司近期向機(jī)構(gòu)投資者表示，已鎖定符合英偉達(dá)規(guī)格產(chǎn)品的價(jià)格和供應(yīng)量，正在維持當(dāng)前盈利能力。這意味著即使三星電子和美光進(jìn)入HBM4市場，也不會對SK海力士的業(yè)績產(chǎn)生不利影響。

雙輪驅(qū)動推高明年業(yè)績預(yù)期

報(bào)道還指出，在擴(kuò)大通用DRAM產(chǎn)能的同時(shí)，SK海力士并未放緩HBM布局。

該公司正在擴(kuò)大1b DRAM產(chǎn)能，用于明年正式向英偉達(dá)供應(yīng)的HBM4。位于清州園區(qū)的全新M15X工廠計(jì)劃于今年年底投產(chǎn)，這條1b DRAM生產(chǎn)線平均每月可生產(chǎn)6萬片晶圓。

業(yè)界估算SK海力士的HBM4利潤率約為60%。市場預(yù)計(jì)該公司明年HBM銷售額約為40萬億至42萬億韓元。

若維持與今年相同的利潤率，SK海力士僅HBM業(yè)務(wù)就將產(chǎn)生約25萬億韓元營業(yè)利潤，較今年的17萬億韓元增長近50%。

隨著全球AI基礎(chǔ)設(shè)施投資熱潮推動，通用型DRAM價(jià)格同步飆升。分析顯示，隨著DRAM價(jià)格上漲，SK海力士明年通用型DRAM營業(yè)利潤率也可能接近50%至60%。一位業(yè)內(nèi)人士表示，SK海力士在產(chǎn)品生產(chǎn)前就已售罄明年產(chǎn)能，因此將維持高利潤率。

綜合HBM4的高利潤率和通用型DRAM價(jià)格上漲因素，市場預(yù)測SK海力士明年?duì)I業(yè)利潤有望超過70萬億韓元，創(chuàng)下歷史新高。這一預(yù)期建立在該公司已確保HBM4盈利能力、產(chǎn)能提前鎖定以及AI內(nèi)存需求持續(xù)旺盛的基礎(chǔ)上。