IT之家 11 月 13 日消息，據 ChosunBiz 報道，隨著存儲半導體行業(yè)中第六代高帶寬內存（HBM4）的競爭愈發(fā)激烈，對下一代 HBM 的需求逐漸顯現(xiàn)，促使三星電子與 SK 海力士加速推進研發(fā)進程。從第七代 HBM（即 HBM4E）開始，HBM 市場有望從以“通用型”產品為主（即廠商自主開發(fā)并量產、用以確立行業(yè)標準的產品），逐步轉向“定制化”產品 —— 即核心組件（如邏輯裸片）可根據客戶需求進行定制化設計與供應。

據業(yè)內消息，三星電子與 SK 海力士已設定目標，力爭最早于明年上半年完成 HBM4E 的開發(fā)工作。據悉，HBM4E 將搭載于包括英偉達“Rubin”平臺旗艦型號 R300 在內的全球大型科技企業(yè)的新一代人工智能（AI）加速器中。鑒于搭載 HBM4E 的 AI 加速器計劃于 2027 年正式發(fā)布，相關廠商正加速推進研發(fā)，以期在明年下半年完成產品品質驗證。

鑒于 HBM4E 有望在兩年內成為 HBM 市場的主流產品，三星電子與 SK 海力士已全面投入市場爭奪戰(zhàn)。興國證券研究員 Son In-jun 表示：“預計明年 HBM 需求同比增速將達 77%，2027 年為 68%；而至 2027 年，HBM4E 將占 HBM 總需求的 40%。”

據IT之家了解，在 HBM4 市場，SK 海力士憑借領先地位鞏固了其“單極主導”格局，并已率先行動：其成為存儲半導體廠商中首家與行業(yè)龍頭英偉達敲定明年 HBM4 供貨量的公司。據報道，SK 海力士預計將供應英偉達 Rubin 平臺初期 HBM4 用量中的相當大比重。盡管英偉達已確認三星電子已進入 HBM4 供應鏈，但業(yè)內消息稱，雙方供貨談判仍在進行中。

然而，隨著市場普遍預期定制化 HBM 需求將自 HBM4E 起全面爆發(fā)，部分分析認為行業(yè)格局或將迎來重塑。目前，三星電子與 SK 海力士均正積極布局定制化 HBM 市場，其關鍵在于 —— 作為 HBM4E“大腦”的“邏輯裸片（base Die）”可依據客戶要求進行定制化設計與制造。為及時響應這一趨勢，企業(yè)需兼具按客戶需求定制產品設計的能力，以及先進的晶圓代工（Foundry）制程能力。三星電子已全面內化上述能力，并自 HBM4 起即采用自家代工工藝生產邏輯裸片，持續(xù)積累實踐經驗。

一位半導體行業(yè)人士指出：“目前主流觀點確實認為，憑借與英偉達的緊密合作關系，SK 海力士有望在 HBM4E 市場延續(xù)領先地位；但另一方面，隨著全球大型科技企業(yè)紛紛自主研發(fā) AI 加速器，對 HBM4E 定制化產品的需求日益多元化，三星電子憑借其具備快速響應能力的代工制程技術與產能儲備，同樣具備顯著優(yōu)勢，市場格局存在重構可能。”

此外，美光（Micron）亦表示正與臺積電（TSMC）展開合作，瞄準 HBM4E 市場。與 SK 海力士自 HBM4 起即采用臺積電代工工藝制造邏輯裸片不同，美光此前在 HBM4 中采用了其自有的先進 DRAM 工藝。然而，隨著客戶對高性能、定制化產品需求持續(xù)提升，對先進代工制程的依賴日益增強，分析認為，美光因此轉向與臺積電合作，以強化其技術競爭力。