眾所周知， 自從芯片工藝進入14nm之后，所謂的XX納米，就是數字游戲了。

不像以前，XX納米，是與芯片本身的柵級寬度對應的，但自從進入14nm之后，這些早就不對應了，且各大廠商的工藝也不一致了。

高通的高管，甚至直白的講，所謂的XX納米，只是營銷需要而已，晶圓廠喜歡把數字搞的小一點，顯得技術更厲害。

這背后的意思就是，所謂的5nm，不一定是5nm，3nm也不一定是3nm，特別是各大廠商的同一種工藝，比如都是5nm，技術指標可能完全不一樣。

就像英特爾，將自己的工藝改成intel4、intel3、intel18A之類的一樣，并不代表工藝就真的是4nm、3nm、1.8nm了，只是廠商自己這么叫的。

那么問題來了，在這樣的情況之下，那么三星的5nm、臺積電的5nm、英特爾的5nm，是一樣的么？怎么來判斷究竟誰更強？

其實有一個非常重要的指標，基本上只要看這個指標，大家就會明白究竟誰是在忽悠，誰是真材實料了，這個指標就是晶體管密度，也被人稱之為芯片工藝的照妖鏡。

如下圖所示，這是目前幾家最頂尖的大廠，10nm及以下工藝的晶體管密度，單位是每平方毫米，多少億個晶體管。

可以看到，在10nm時，明顯英特爾更厲害，每平方毫米高達1.06億個，而三星、臺積電差不多，大約在0.5億個左右，約是英特爾的一半左右。

而到了7nm時，intel也是最厲害，有1.8億個左右，而三星、臺積電大約是0.95億個，也約是英特爾的一半，這時候三大廠商其實還是相對靠譜的。

但是到了5nm時，差距就來了，英特爾依然保持著穩定，高達3億個晶體管每平方毫米，而臺積電也提升了很大，達到了1.73億個，但是三得明顯忽悠了，只有1.27億個了，提升有限。

而到3nm時，就更加明顯了，intel高達5.2億個，臺積電提升到2.9億個，而三星是1.7億個左右，落后更多了。

從這個可以看出來，三星的3nm，相當于臺積電的5nm，intel的7nm，足以證明三星的3nm工藝有多水了。

偏偏三星的3nm工藝良率還不行，難怪高通等廠商，紛紛轉單，不和三星玩了，良率低，工藝摻水，和臺積電5nm一個水平，誰和你玩啊。

后續其實大家看誰的工藝更強，不要只看表面的XX納米，真正最有效的還是看晶體管密度，一看一個準。