6 月 2 日消息，據日經亞洲 31 日報道，軟銀正攜手英特爾開發一種全新 AI 專用內存芯片，其耗電量有望大幅低于當前芯片，為日本構建節能高效的 AI 基礎設施奠定基礎。

雙方計劃設計一種新型堆疊式 DRAM 芯片，采用不同于現有高帶寬內存（HBM）的布線方式，預期將電力消耗減少約一半。

負責該項目的是新成立的公司 Saimemory，所用技術來自英特爾，并結合東京大學等日本高校的專利成果。Saimemory 將專注于芯片設計與專利管理，制造交由外部代工廠負責。

項目目標是在兩年內完成原型，再評估是否投入量產，爭取在 2020 年代實現商業化，整體投資預計達 100 億日元（注：現匯率約合 5 億元人民幣）。

軟銀為主要投資方，出資 30 億日元（現匯率約合 1.5 億元人民幣），日本理化學研究所與神港精機也在考慮資金或技術上的參與。此外，項目方也計劃申請政府支持。

軟銀希望將這款新型存儲器用于其 AI 訓練數據中心。隨著 AI 在企業管理等高階領域應用的深入，對高性能、高效率數據處理能力的需求不斷提升，而這種芯片將有望以更低成本構建高質量的數據中心。