眾所周知，目前主要的芯片制造方案，均采用的是光刻技術(shù)，而光刻技術(shù)最重要的就是光刻機(jī)。

光刻機(jī)領(lǐng)域，ASML一家獨(dú)占了80%以上的市場份額，特別是最高端的EUV光刻機(jī)，全球僅ASML一家能夠制造。

而EUV又用于7nm以下的芯片制造，所以說ASML卡住了全球所有先進(jìn)芯片制造企業(yè)的脖子。

所以一直以來，全球眾多的企業(yè)，都在想方設(shè)法，繞過ASML的封鎖，特別是繞過EUV光刻機(jī)技術(shù)，掌握另外的芯片制造技術(shù)，那么全球的芯片設(shè)備格局都可能被改寫。

事實(shí)上，之前也有好幾套技術(shù)方案，比如日本研究的NIL納米壓印技術(shù)，佳能就有推出相關(guān)的設(shè)備，據(jù)說也能用于5nm芯片的制造。

還有美國之前搞了EBL電子束技術(shù)，據(jù)稱也能夠用于5nm及以下芯片的制造。

還有歐洲搞什么DSA自生長技術(shù)，還有俄羅斯提出什么X射線方案等，但其真正的可以拿出來公布的進(jìn)度并不多。除了佳能的NIL方案，據(jù)說已經(jīng)用于實(shí)際生產(chǎn)之外，其它的只是傳聞。

但是近日，傳聞變成了現(xiàn)實(shí)，英國南安普敦大學(xué)宣布，成功開設(shè)了首個(gè)分辨率達(dá) 5 納米以下的尖端電子束光刻 (EBL) 中心。

這種產(chǎn)品，據(jù)稱可以制造下一代半導(dǎo)體芯片，并且是不需要EUV光刻機(jī)的芯片制造技術(shù)，據(jù)稱這也是全球第二個(gè)，歐洲首個(gè)此類電子束光刻中心。

不過，目前這一代產(chǎn)品，也并不是沒有缺點(diǎn)，那就是目前它還只能用于200mm的晶圓，也就是8寸的，要支持300mm也就是12寸的，據(jù)稱要等到下一代技術(shù)才行。

但不可否認(rèn)的是，一旦這種電子束光刻機(jī)大突破，解決了產(chǎn)能、分辨率等等問題之后，ASML的麻煩就來了，到時(shí)候ASML就無法一家獨(dú)大了，那當(dāng)前的這種局面，肯定會(huì)產(chǎn)生巨大的洗牌。

當(dāng)然，對(duì)于我們而言，表現(xiàn)上來看似乎也是利好，畢竟這么多的產(chǎn)品推出，我們有了更多的選擇，但關(guān)鍵是，這些產(chǎn)品和技術(shù)都不是中國的，所以就算對(duì)方有，也未必會(huì)賣給我們，所以我們還是努力加油吧，只有自己有，才能避免被卡脖子。