據海外媒體報道，臺積電2nm芯片研發進展順利，正按計劃穩步推進，有望在2nm工藝節點競爭中搶占先機，AMD更是率先完成流片，領跑蘋果與英特爾。

目前，臺積電2nm工藝節點在開發過程中表現出色，其缺陷率顯著優于3nm和7nm工藝在相同研發階段的表現。

據報道，該節點芯片的良率現已達到臺積電成熟5nm工藝的水平，并預計將于2025年第四季度正式進入大規模量產階段。

此次技術躍進的關鍵在于臺積電采用了全新的GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管）架構。相較于傳統的FinFET架構，GAAFET架構中的每個晶體管都采用了被柵極材料完全包裹的nm片結構，這一變革大幅提升了晶體管密度，有效降低了漏電現象，并顯著降低了功耗。這是臺積電首次在量產芯片中應用GAAFET架構，標志著其在半導體制造技術上的又一次重大突破。

在客戶合作方面，AMD成為首批受益者，其下一代代號為“Venice”的EPYC芯片已率先完成流片，預計將成為2nm節點的首發產品。相比之下，蘋果的iPhone 18和英特爾的Nova Lake CPU雖也計劃采用臺積電的2nm技術，但上市時間將稍晚于AMD。

臺積電的2nm工藝客戶名單堪稱豪華，蘋果、AMD、英特爾、英偉達、高通、聯發科以及博通等芯片設計領域的巨頭均已預訂產能。其中，英偉達的Rubin GPU最初將采用3nm工藝制造，但未來有望升級至2nm工藝。

臺積電董事長魏哲家表示，市場對2nm工藝的需求空前高漲，遠超此前3nm工藝引發的搶購熱潮。