據韓媒報道，盡管三星電子在高帶寬內存（HBM）產品的質量測試上有所進展，但其半導體部門仍面臨多重挑戰。業內人士指出，以8層堆疊HBM產品為例，三星的供應時間比競爭對手晚了一年以上，這使其在技術差距和市場份額的追趕上存在明顯局限。

在第五代HBM競爭中處于劣勢的三星，正將翻身希望寄托在下一代HBM4產品上，目標是在今年內實現量產。然而現實并不樂觀。用于HBM4的10納米級第七代（1c）DRAM仍未完成開發，材料準備不足令HBM4的量產節奏存在不確定性。業內專家指出：“只有高附加值的HBM訂單顯著增長，三星DS（設備解決方案）部門的業績才可能實現有意義的反彈。”

除了存儲芯片外，三星半導體的另一大支柱——由晶圓代工和系統LSI組成的業務線也未見起色。據估計，2025年第一季度該業務線虧損超過2萬億韓元（約99.2億元人民幣）。其中，核心產品Exynos 2500因性能與良率未達預期，未能搭載于S25系列上，導致虧損持續。

在晶圓代工領域，由于3納米及以下先進工藝尚未獲得大型客戶訂單，三星在爭奪高端客戶上的劣勢可能在短期內持續存在。

面對困局，三星正全力推進2納米制程及相關產品的開發。公司正在集中力量開發Exynos 2600，并爭取在年內實現量產。一位業內人士透露：“目前2納米制程的良率相比去年同期的3納米水平更為穩定，三星在該節點上的投入與期待顯著提升。”盡管前路仍存挑戰，但2納米與HBM4被視為三星半導體業務能否逆轉局勢的關鍵支點。