IT之家 8 月 19 日消息，臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》本月 16 日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，英偉達(dá)已啟動(dòng)自家 HBM 內(nèi)存 base Die（IT之家注：基礎(chǔ)裸片）設(shè)計(jì)計(jì)劃。英偉達(dá)未來(lái)的 HBM 內(nèi)存供應(yīng)鏈將采用內(nèi)存原廠 DRAM Die + 英偉達(dá) base Die 的組合模式，有望改寫(xiě)下一代 HBM 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)版圖。

據(jù)悉英偉達(dá)的自研 HBM base Die 將采用 3nm 工藝制程，預(yù)計(jì)于 2027 年下半年開(kāi)始小規(guī)模試產(chǎn)。這一時(shí)間點(diǎn)大致對(duì)應(yīng) "Rubin" 后的下一代 AI GPU "Feynman"。

由于傳輸速率、功能兩方面的要求提升，從 HBM4 開(kāi)始 HBM 內(nèi)存的 base Die 轉(zhuǎn)向邏輯半導(dǎo)體制程，而英偉達(dá)在這一領(lǐng)域的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)明顯多于 SK 海力士這樣的純存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造商。

英偉達(dá)自研 base Die 有助于加強(qiáng)其對(duì) HBM 內(nèi)存的議價(jià)能力，利于向 base Die 導(dǎo)入一系列高級(jí)功能，且能為采用 NVlink Fusion IP 的第三方 ASIC 提供更多模塊化組合。