IT之家 7 月 16 日消息,韓國半導體設備企業韓美半導體 (HANMI Semiconductor) 董事長郭東信當地時間昨日表示,在 HBM 4/5 世代就為 HBM 內存導入混合鍵合工藝猶如殺雞用牛刀,并無必要。
韓美半導體是全球第一大 HBM 內存 TC(熱壓縮)鍵合機臺供應商。根據郭東信的說法,最近兩年由該企業設備實施鍵合步驟的 HBM 堆棧占到英偉達 HBM3E 內存整體供應量的九成。
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▲ 韓美半導體的 HBM 內存 TC 鍵合設備
郭東信表示,一臺混合鍵合設備的價格就要超過 100 億韓元(IT之家注:現匯率約合 5190 萬元人民幣),是傳統 TC 鍵合機的兩倍以上;此外 JEDEC 制定的 HBM4 規范將堆棧高度要求放寬到了 775μm,沒有必要通過無凸塊的混合鍵合進一步降低 DRAM Die 間距,TC 鍵合機足以滿足 HBM4 乃至 HBM5 的工藝需求。
韓美半導體計劃今年推出無助焊劑 (Fluxless) 類型的 HBM 鍵合設備,瞄準 HBM6 內存需求的混合鍵合機則目標在 2027 年推出。





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