IT之家 7 月 16 日消息，韓國半導體設備企業韓美半導體 (HANMI Semiconductor) 董事長郭東信當地時間昨日表示，在 HBM 4/5 世代就為 HBM 內存導入混合鍵合工藝猶如殺雞用牛刀，并無必要。

韓美半導體是全球第一大 HBM 內存 TC（熱壓縮）鍵合機臺供應商。根據郭東信的說法，最近兩年由該企業設備實施鍵合步驟的 HBM 堆棧占到英偉達 HBM3E 內存整體供應量的九成。

▲ 韓美半導體的 HBM 內存 TC 鍵合設備

郭東信表示，一臺混合鍵合設備的價格就要超過 100 億韓元（IT之家注：現匯率約合 5190 萬元人民幣），是傳統 TC 鍵合機的兩倍以上；此外 JEDEC 制定的 HBM4 規范將堆棧高度要求放寬到了 775μm，沒有必要通過無凸塊的混合鍵合進一步降低 DRAM Die 間距，TC 鍵合機足以滿足 HBM4 乃至 HBM5 的工藝需求。

韓美半導體計劃今年推出無助焊劑 (Fluxless) 類型的 HBM 鍵合設備，瞄準 HBM6 內存需求的混合鍵合機則目標在 2027 年推出。