5 月 29 日消息，日月光 ASE 昨日宣布推出具備 TSV 硅通孔的 FOCoS-Bridge 先進(jìn)封裝技術(shù)。相較于原版 FOCoS-Bridge，TSV 的加入可提供更短的傳輸路徑，實(shí)現(xiàn)更高的 I/O 密度與更好的散熱效能，滿足日益增長(zhǎng)的帶寬需求。

注意到，F(xiàn)OCoS-Bridge 是日月光 VIPack 平臺(tái)的一部分，其采用嵌入在扇出 RDL 層內(nèi)的微小硅橋?qū)崿F(xiàn) xPU 和 HBM 間的封裝內(nèi)互聯(lián)，與臺(tái)積電的 CoWoS-L、英特爾的 EMIB 有相近之處。

結(jié)合傳統(tǒng)的橫向信號(hào)連接，TSV 橋接芯片可在 FOCoS-Bridge 封裝系統(tǒng)中為電力傳輸提供更短的垂直路徑。與原版標(biāo)準(zhǔn) FOCoS-Bridge 相比，F(xiàn)OCoS-Bridge TSV 的電阻和電感分別降低了 72% 和 50%。

日月光研發(fā)處長(zhǎng)李德章表示：

HPC 和 AI 日益增長(zhǎng)的應(yīng)用加速了高計(jì)算性能需求，日月光 FOCoS-Bridge 可實(shí)現(xiàn) SoC 和 Chiplets 與 HBM 的無(wú)縫整合。透過(guò)采用 TSV，F(xiàn)OCoS-Bridge 提高了計(jì)算和能源效率，并將我們的先進(jìn)封裝技術(shù)組合提升到一個(gè)新的水平。