眾所周知，ASML的EUV光刻機，是全球唯一的。也就是說全球只有它一家企業，能夠制造EUV光刻機，芯片廠商們，沒有第二個選擇。

而EUV光刻機不僅貴，同時更是電老虎。按照之前媒體的報道稱，一臺輸出250W功率的EUV光刻機，一年可能需要耗電3萬度，一年就是1000多萬度，如果10臺就是1億度，100臺就是10億度……

為何EUV光刻機這么耗電，其根本原因就是其能量轉換效率太低，目前ASML的EUV整體能源轉換效率只有 0.02% 左右。

一臺250W輸入功率的EUV光刻機，實際輸入功能高達1250KW。

為何這么能量轉換效率這么低，主要就是EUV光源獲取這里，能量損耗太大了。

ASML這里獲取EUV光源，采用的是高功率二氧化碳激光脈沖，功率要超過30KW，其中單個脈沖的峰值功率更可高達數兆瓦，然后照射在直徑為30微米的錫滴液靶材上。

在這些光束的持續作用下，持續滴落的錫珠被激發成一個璀璨的等離子體，然后會釋放出波長為13.5nm的極紫外線。

然后利用物鏡系統，再將這些光線收集起來，形成有一定方向性的光線。

這個中間又有損耗，所以最終它的實際轉換效率，低到只有0.02%左右。

所以這些年以來，也有眾多的機構在研究，怎么提高這個轉換效率，或者采用另外的形式來生產13.5nm的光源，而不是這種二氧化碳激光脈沖照射錫球的方式。

而近日，中國上海光機所的林楠團隊，研發出了一種“固體 激光器”技術路線，也成功產生出了13.5nm波長的EUV光源，更重要的是這種方法的能量轉換效率，相比于ASML的技術直接翻倍，也就相當于功耗降低了50%。

這意味著如果以后的EUV光刻機，采用這種技術，其耗電量，可能會大大降低，這一定是所有芯片制造企業的福音。

當然，一項技術從提到到最終實際落的，還需要很長的距離，但這也說明，中國EUV光刻機離我們又近了一步，未來說不定我們能夠造出比ASML更好的EUV光刻機了。