在近日舉辦的臺積電北美技術論壇上，SK海力士向公眾展示了其最新一代HBM4高帶寬內存技術，并同步展出了多款面向AI和數據中心的內存新品，展現出在高端內存領域的絕對領先優勢。

根據官方介紹，SK海力士此次公布的HBM4規格相當亮眼。單顆容量最高可達48GB，帶寬高達2.0TB/s，I/O速度達到8.0Gbps。公司計劃在2025年下半年實現HBM4的大規模量產，最快今年底就有機會率先集成到相關產品中。值得注意的是，目前SK海力士是市場上唯一一家向公眾展示HBM4技術細節的廠商，領先競爭對手三星和美光，后者目前仍處于送樣階段。

除了HBM4，SK海力士還帶來了全球首款16層堆疊的HBM3E產品，帶寬達到1.2TB/s。該標準預計將應用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群產品，后續則會在NVIDIA Vera Rubin架構中轉向HBM4。SK海力士表示，得益于先進的MR-MUF封裝工藝與硅通孔（TSV）技術，才使得如此高層數的堆疊成為可能，再次鞏固了其在高端存儲封裝領域的領導地位。

在服務器內存方面，SK海力士同步展出了基于最新1c DRAM工藝制造的RDIMM與MRDIMM產品，傳輸速度最高達12,500MB/s。其中MRDIMM系列支持12.8Gbps速率，提供64GB、96GB和256GB多種容量選擇；RDIMM系列則以8Gbps速率提供64GB與96GB版本，另有單條256GB容量的3DS RDIMM模塊，全面覆蓋高性能AI和數據中心應用需求。

通過不斷推動HBM與服務器內存技術創新，并與NVIDIA等合作伙伴緊密協作，SK海力士已經在高端內存市場取得明顯領先，超越了傳統霸主三星，鞏固了其在下一代AI計算時代的核心地位。