10月30日消息,據ET News,有報道援引消息人士稱,三星電子將從ASML引進首臺High-NA EUV光刻機EXE:5000,預計2025年初到貨。半導體設備安裝通常需要較長測試時間,該光刻機預計最快2025年中旬開始運行。High-NA EUV為2納米以下先進制程所需設備,韓國業界預期,三星也將正式啟動1納米芯片的商用化進程。 (財聯社)

10月30日消息,據ET News,有報道援引消息人士稱,三星電子將從ASML引進首臺High-NA EUV光刻機EXE:5000,預計2025年初到貨。半導體設備安裝通常需要較長測試時間,該光刻機預計最快2025年中旬開始運行。High-NA EUV為2納米以下先進制程所需設備,韓國業界預期,三星也將正式啟動1納米芯片的商用化進程。 (財聯社)

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