10月30日消息，據ET News，有報道援引消息人士稱，三星電子將從ASML引進首臺High-NA EUV光刻機EXE:5000，預計2025年初到貨。半導體設備安裝通常需要較長測試時間，該光刻機預計最快2025年中旬開始運行。High-NA EUV為2納米以下先進制程所需設備，韓國業界預期，三星也將正式啟動1納米芯片的商用化進程。 (財聯社)
消息稱三星將于2025年初從ASML引進High-NA EUV光刻機
IP屬地 中國·北京 編輯：鄭佳 鞭牛士 時間：2024-10-30 15:28:28
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