10 月 26 日消息，德州儀器 TI 本月 24 日宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 GaN 材料的功率半導體產品，這也意味著德州儀器的整體 GaN 功率半導體產能升至以往四倍。

▲ 手持產品的德州儀器員工

德州儀器技術和制造高級副總裁 Mohammad Yunus 表示：

憑借十多年來在氮化鎵芯片設計和制造方面的專業知識，我們已成功驗證了我們的 200mm（注：即 8 英寸）氮化鎵技術 —— 當今最具可擴展性和成本競爭力的 GaN 制造方法 —— 并在會津開始量產。

這一里程碑使我們能夠在內部制造更多的 GaN 芯片，到 2030 年，我們的內部制造率將達到 95% 以上，同時還可以從德州儀器的多個地點采購，確保我們整個 GaN 高功率、高能效半導體產品組合的可靠供應。

會津 GaN 功率半導體生產線的投入量產也意味著德州儀器可將其 GaN 器件擴展到 900V 乃至更高的電壓，開創更為廣闊的應用場景；此外德州儀器今年早些時候成功進行了 300mm（12 英寸）晶圓GaN 制造工藝的試點。

▲ 德州儀器會津工廠