在功率電子器件領域，氮化鎵（GaN）技術以出眾的性能和廣闊的應用前景，正逐步成為行業的新寵。英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）作為氮化鎵技術的開拓者和領軍者，憑借雄厚的研發實力、精湛的生產工藝以及豐富的產品線，正引領著功率電子器件的新一輪革命。

氮化鎵分立器件是英諾賽科的核心產品之一。英諾賽科設計、開發及制造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，用于各種低中高壓應用場景，產品研發范圍覆蓋了從15V至1,200V。此外，英諾賽科還開發了旗艦產品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列，可應用于消費電子、工業應用等多個領域。V-GaN系列是英諾賽科首創的專利技術，最大的特點是由于可以實現雙向導通，一顆 V-GaN芯片能替代兩顆硅MOSFET，從而達到節省空間、降低發熱的效果。因此，應用V-GaN產品可顯著提升整體系統的成本效益。

除了分立器件，英諾賽科還專注于氮化鎵集成電路的設計與制造。將氮化鎵器件與其他電子元件（如驅動器及保護裝置）集成，簡化了電路復雜性。這些集成電路以低發熱、高驅動器效率、高精度和小型化的特點，顯著提升了整體系統可靠性，成為眾多行業應用的首選。

英諾賽科憑借強大的量產能力及先進的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產工藝，確保了產品的穩定供應。截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，累計出貨量已突破5億顆，充分彰顯了其在全球市場的領導地位。

英諾賽科在核心技術和關鍵工藝方面的前瞻性戰略及突破，使得公司的8英寸硅基氮化鎵晶圓，相比傳統6英寸晶圓，晶粒產出提升80%，成本降低30%，體現了其在成本控制與生產效率上的絕對優勢；此外，公司率先拓展氮化鎵產品的應用范圍，與電子消費產品、汽車、可再生能源等廣泛領域的領先客戶緊密合作，打造強大而豐富的行業生態系統。

招股書顯示，英諾賽科氮化鎵產品在各應用領域獲得客戶的認可，營業收入實現強勁增長。具體來看，英諾賽科的年度收入從2021年的6821.5萬元人民幣躍升至2023年的5.9億元人民幣，收入復合年增長率高達194.8%。其亮眼的業績表現不僅反映了市場對英諾賽科產品的高度認可，更預示著其未來充滿無限的發展潛力。

憑借強大的技術創新實力及領先的量產能力，英諾賽科已成為氮化鎵功率半導體產品的全球領導者。按氮化鎵分立器件出貨量統計，英諾賽科2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市占率達42.4%。

隨著新能源汽車等優勢產業的興起，氮化鎵功率半導體迎來巨大的市場機遇。據權威機構預測，氮化鎵功率半導體行業規模預期將進一步按98.5%復合年增長率加速增長，由2024年的32.28億元增長至2028年的501.42億元。其中，消費電子、可再生能源、新能源汽車和數據中心等細分市場均展現出良好的增長潛力。英諾賽科依托在氮化鎵技術領域的深厚底蘊與持續創新，已經確立行業領先地位。隨著產能釋放和市場需求增長，在可預見的未來，英諾賽科將逐步達成實現盈利的目標。此外，隨著技術的不斷進步與市場的持續拓展，英諾賽科有望在全球功率半導體市場扮演更為重要的角色。

轉載自 第三代半導體產業技術戰略聯盟