氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，在光電子、大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

根據弗若斯特沙利文的資料，預計到2028年，氮化鎵市場規模將達到人民幣501.4億元，占全球功率半導體市占率提升至10.1%，并占全球功率半導體分立器件市場的24.9%。每一次新材料的發明和應用，都是對行業的沖擊，沖擊中既有挑戰，也蘊藏著機遇。在這個領域中，英諾賽科憑借研發創新、成本控制、產能擴張以及全球化布局等多方面的連續投入，已然成為行業的領軍者。

英諾賽科作為全球領先的第三代半導體高新技術企業，旗下氮化鎵主力產品包括InnoGaN系列、VGaN系列等，產品組合涵蓋高、中、低電壓，產品研發范圍覆蓋15V至1200V，公司基于成熟可靠的主力產品及雄厚的研發制造能力，向下游用戶提供整體解決方案。經過多年的研發深耕，英諾賽科已經實現了從初創企業到獨角獸企業的跨越式發展，英諾賽科于2023—2024年，連續2年入選“胡潤全球獨角獸榜”。

據悉，英諾賽科在駱薇薇博士的帶領下，一直致力于第三代半導體氮化鎵研發與應用，為氮化鎵功率半導體產業的蓬勃發展奠定堅實基礎。透過招股書來看，最近三年英諾賽科業務高速增長，收入復合年增長率高達194.8%，這一業績無疑令人矚目。其背后的推動力，除了全球氮化鎵下游應用的爆發性增長，還有公司富有前瞻性的戰略布局。英諾賽科采用獨特的IDM模式，全方位投入產品設計、工藝制造、測試及下游應用等環節，這不僅保證了技術的領先地位，更使得公司能夠精準滿足市場對高品質氮化鎵產品的迫切需求。

雖然從財務角度看，英諾賽科盡管2023年經調整后的凈虧損仍有10.16億元，但與2021年相比，虧損幅度明顯縮小。分析人士指出，這主要得益于公司成本控制能力的顯著提升以及規模化生產帶來的經濟效益。更重要的是，過去三年累計的虧損主要來源于上市前的股權融資和股權激勵支出，而非主營業務虧損，這進一步反映出英諾賽科對長期發展和人才激勵的重視。

英諾賽科的財務狀況正在持續改善中。公司在研發、產能擴張以及全球化布局方面的連續投入，為其長期發展注入了強勁動力。同時，沖刺港股上市有望為公司帶來新的資本注入，并推動技術的研發與市場的進一步開拓。

自成立以來，英諾賽科始終走在全球功率半導體革命的前沿，致力于推動氮化鎵技術的創新與應用。目前，英諾賽科已在中國蘇州建立全球研發中心，將其定位為第三代半導體材料及芯片的領先研發中心。經過多年的研發深耕，英諾賽科已在氮化鎵芯片設計領域積累了豐富的技術經驗，擁有自主知識產權，形成了完整的技術體系。

截至2023年12月31日，英諾賽科的研發工作已累計獲得213項專利，其中包括173項發明專利及40項實用新型專利，以及480項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。公司持續夯實研發技術，加大研發投入，2021年至2023年，研發投入人民幣15.92億元。

憑借強大的技術創新實力及領先的量產能力，英諾賽科已成為氮化鎵功率半導體產品的全球領導者。按折算氮化鎵分立器件出貨量統計，公司于2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市占率達42.4%。

分析人士指出，隨著英諾賽科加碼技術研發，持續拓寬新能源汽車、數據中心等極具增長潛力的市場應用場景，公司還將進一步提升其在氮化鎵功率半導體行業的全球競爭力，引領新一輪的能源技術革新浪潮；未來幾年，氮化鎵功率半導體行業也將迎來前所未有的發展機遇，為全球綠色能源轉型貢獻力量。