摩根大通在最新研報中指出，當前頭部存儲芯片制造商的總市值已接近1萬億美元。基于歷史估值中樞推算，到2027年這一數字將飆升至1.5萬億美元，意味著頭部廠商仍有超過50%的上漲空間。

據追風交易臺，12月14日，摩根大通在最新報告中稱，當前的周期將是歷史上最長、最強勁的存儲上升周期。

投資者普遍擔憂2027年新產能會導致DRAM供過于求。摩根大通的數據模型顯示這種擔憂是多余的——HBM的產能擠占和AI推理的結構性需求（推理對內存的消耗是訓練的3倍）將導致未來兩年DRAM位元供應增長仍將落后于需求增長。

市場正在經歷“雙軌制”定價。B2B（企業級/AI）需求強勁支撐價格高位，而B2C（消費級）則面臨周期性壓力。但整體而言，服務器端的需求上行將完全抵消消費端的下行風險。

估值重塑：向1.5萬億美元進軍

摩根大通在報告中直擊投資者痛點：在存儲股過去三個月大幅上漲并逼近1萬億美元市值大關后，下一步怎么走？

摩根大通給出的答案非常明確：繼續做多。

基于“市值/市場規模（TAM）”的估值框架，摩根大通預測2027年存儲市場規模將達到約4200億美元。取2018年和2021年周期的市銷率（P/S）中值3.5倍計算，頭部存儲及內存制造商的合計市值有望在2027年逼近1.5萬億美元。

這意味著從當前水平看，頭部玩家仍有超過50%的市場上限空間。

供需真相：2027年依然短缺

目前市場上最大的空頭論點是：2027年的新建晶圓廠投放和加速的技術遷移將引發DRAM供過于求。

摩根大通通過自下而上的“產能-位元”分析模型駁斥了這一觀點：

缺口持續：盡管2027年供需缺口可能從2026年的5%縮小至3%，但仍將處于短缺狀態。產能擠占：強勁的CSP（云服務提供商）需求迫使廠商將更多產能分配給HBM。HBM占DRAM總產能的比例將從2025年的19%大幅攀升至2027年的28%。供應受限：2026年常規DRAM產能實際上預計會同比下降，即便2027年有三星P4、海力士M15X等新產能上線，受限于潔凈室空間和工藝步驟增加帶來的自然產能損失，DRAM位元出貨量的增長將被限制在20%以下。

定價權的雙城記：B2B的盛宴與B2C的周期

這是一場“存儲饑餓游戲”。

CSP和特定二級/三級消費電子品牌正在激進搶奪資源，引發了近期存儲價格的急劇上漲。摩根大通預測，從2026年下半年到2027年上半年，市場將出現明顯的價格分化：

B2B端（AI驅動）：在AI推理需求的支撐下，價格將保持堅挺。B2C端（消費級）：由于客戶對高價的抵觸，將面臨周期性的價格下行。

關鍵數據預測：

2026財年（FY26E）：摩根大通模型顯示DRAM平均售價（ASP）將暴漲53%，NAND ASP上漲約30%。2027財年（FY27E）：即使在價格高位持續時間延長的背景下，DRAM ASP預計仍將微漲1%，NAND ASP則可能小幅回調6%。

AI驅動力：HBM與eSSD的結構性機遇

HBM（高帶寬內存）：GPU與ASIC之爭的順風車 Google Gemini 3.0的積極反饋引發了GPU與ASIC的路線之爭，但這對于HBM需求而言是雙重利好。

規格升級：Google下一代2nm TPU可能采用HBM4，加上Rubin Pro GPU帶來的4倍容量增長，將持續擠壓供應鏈。持續短缺：摩根大通預計HBM的供需短缺（約8%-12%的缺口）將貫穿2027年，甚至可能延續至2028年。

SSD（固態硬盤）：推理應用的關鍵 AI推理的興起正在推動企業級SSD（eSSD）的市場擴張。AI服務器對SSD的搭載量是普通服務器的3倍。

由于HDD（機械硬盤）廠商在2026年的資本開支指引謹慎，摩根大通預計eSSD將在未來6個月享受巨大的需求順風，推動2026財年NAND價格上漲27%。

資本開支：增長但克制

盡管存儲廠商宣布了一系列產能擴張計劃，但摩根大通認為其實際產生的位元供應增長將被物理遷移挑戰所抵消。

設備支出先行：預計存儲晶圓廠設備（WFE）的增長將大幅領先于總體資本開支的增長（2026/2027年DRAM WFE分別增長19%/26%）。強度可控：無論是DRAM（低于30%）還是NAND（低于20%），隱含的資本密集度都將低于過去五年的平均水平。這意味著供應端仍保持著顯著的紀律性。