IT之家 12 月 9 日消息，據《韓國經濟日報》當地時間 8 日報道，SK 海力士將在其下一代 (V10) NAND 閃存中首次應用混合鍵合技術，而 V10 產品的堆疊層數將在 300+ 級別。

NAND 閃存傳統上是以單片晶圓制造存儲陣列 (Cell) 和外圍電路 (Cell) ，但隨著層數的增加，外圍電路在堆疊加工中出現故障損壞的風險也同步走高。

在長江存儲、鎧俠-閃迪的混合鍵合工藝 NAND 中，Cell 和 Peri 在兩塊晶圓上分別制造，最后再鍵合為一體。這有利于外圍電路良率的保持，且有助于縮短生產時間、提升 NAND 整體性能。不過，實現高密度 I/O 連接的混合鍵合過程本身也相當復雜。

報道指出，SK 海力士正在開發 300+ 層堆疊的 V10 NAND（IT之家注：現有 V9 NAND 為 321 層），計劃明年完成研發、2027 年初量產。