AI浪潮下，今年存儲市場迎來超級漲價周期，對此，業界普遍關注此輪漲價周期會持續多久，拐點何時出現，與此同時，有關AI泡沫論的擔憂依然存在。

AI驅動此輪漲價周期更長

2025年第四季度以來，存儲芯片市場經歷了一場前所未有的價格風暴。以最新的DDR5 16Gb顆粒為例，其單價在9月底還是7.68美元，但到10月底已飆升至15.5美元，單月漲幅高達102%。漲幅不斷擴大，以至于三星、SK海力士和美光等存儲原廠一度被迫暫停報價。

存儲產品漲價背后，核心驅動因素為AI浪潮發展，帶來市場對AI服務器需求激增，進而引發存儲產品缺貨。

在日前舉行的“MTS2026存儲產業趨勢研討會”上，時創意董事長倪黃忠表示，2023年OpenAI激發全球AI需求，算力成為核心驅動力。業界預計到2025年，推理應用的興起將推動AI基礎設施集約化發展，并將DRAM與NAND的需求推向新高。與此同時，全球存儲產業面臨結構性、長周期的嚴重缺貨，市場價格波動劇烈。

英特爾數據中心與人工智能集團副總裁兼中國區總經理陳葆立在會上表示，人工智能自1956年概念誕生以來，近年來因生成式AI技術爆發式增長而進入全新周期。AI技術的飛速發展對數據中心提出更高要求，全球數據總量預計將以約40%的年復合增長率持續攀升。

“AI服務器與通用服務器正共同驅動新一輪存儲器超級周期?！奔钭稍冑Y深研究副總經理吳雅婷在會上指出，TrendForce集邦咨詢預估，AI與服務器相關應用到2026年將占DRAM總產能的66% ，云端服務供貨商（CSPs）也積極簽訂長約（LTA）確保服務器DRAM供給。由于此輪需求產品組合復雜（含HBM/DDR5/LPDDR），預期缺貨時間將更為持久。

根據TrendForce集邦咨詢據供應鏈調查，估計2025年全球Server出貨成長有望逾7%，AI Server將成長逼近25%；展望2026年，全球Server出貨量有機會再成長逾9%，AI Server則再提升至成長達二成以上。

產能排擠效應已浮現

集邦咨詢顧問（深圳）有限公司董事長董昀昶表示，雖然AI使存儲市場價格波動劇烈但AI并非泡沫，需求真實存在，且已改變高科技制造供應鏈供給順序。

吳雅婷在接受證券時報·e公司記者采訪時表示，此輪漲價周期較以往更為復雜，疊加了AI等因素在內，另外購買存儲產品的客戶也更多元，此前主要為手機等消費電子品牌企業，現在各類買家都有，整體造成了存儲產品供不應求，“這輪周期目前仍在持續中，價格拐點我們暫時還無法預測，預計不會這么快到來”。

吳雅婷說，為應對強勁需求，三大DRAM供貨商正積極提升資本支出，并規劃新廠優先供應HBM，產能排擠效應已浮現。AI服務器（如NVIDIA GB300）對LPDDR5X的需求激增，已開始嚴重壓縮智能型手機的LPDRAM供給。服務器用的模組同樣被HBM排擠，價格于今年第四季度開始飆升。

“AI浪潮下，LLM參數規模暴增導致嚴峻的存儲器瓶頸。HBM（高帶寬存儲器）雖快，但面臨容量有限、成本高昂的挑戰，在HBM（極快、極貴）與傳統SSD（慢、便宜）間形成效能斷層。同時，HDD市場因供應鏈限制導致交期長達52周，2026年預計將有150EB缺口，迫使需求轉向高密度QLC eSSD，造成2026年供不應求?！奔钭稍冄芯拷浝砹_智文指出。

TrendForce集邦咨詢分析，DRAM將面臨比NAND更嚴峻的缺貨，市場將出現產能競價以爭奪有限產能。受ASP持續上漲帶動（2026年DRAM ASP估年增36%），2026年DRAM營收預計將飆升56%。

企業積極應對機遇與挑戰

AI影響存儲行業供給、價格、交貨周期的同時，也對行業產品性能、結構等帶來新的變化。

“當前AI產業蓬勃發展，但AI應用落地面臨成本高、能耗大、數據安全隱患等核心痛點?！便屌d科技董事長黃少娃對記者表示，銓興科技聚焦存算協同創新，推出全離線、軟硬一體的AI超顯存融合解決方案，支持6B-671B模型全參微調，降本90%且推理并發性能提升50%，打通AI本地化部署“最后一公里”，讓低成本、低能耗、高安全的AI應用惠及千行百業，并同步布局高端存儲芯片矩陣，推出適配AI推理/訓練的PCIe 5.0 eSSD，具備高容量、低延遲、高可靠等優勢，為AI數據流提供高效支撐。

Solidigm亞太區銷售副總裁倪錦峰指出，ICT行業正歷經巨變，AI崛起和數據量爆發式增長，對存儲性能、容量和能耗提出了更高要求。針對AI時代海量工作負載和復雜的存儲挑戰，Solidigm不滿足于單點優化，而是要做系統級的突破，提供端到端存儲解決方案，助力伙伴共建存力基礎。

Solidigm認為2026年算力與存力都繼續呈現爆發式增長的態勢，Solidigm將立足于持續提供高能效和強大性能的存儲解決方案，助力全行業AI發展。

AI終端（包括具身機器人、新能源汽車、AI眼鏡、數據中心等）對存儲芯片封裝工藝要求為超薄、小型化、大容量、高速度。為滿足小尺寸大容量需求，傳統塑封工藝難以支持。

為此，時創意采用先進的SDBG制程，其切割精度可達1μm，晶圓抗折強度提升30%。同時，C-Molding封裝工藝支持8疊/16疊Die，產品封裝厚度可薄至0.6mm，滿足當前趨勢。AI驅動DRAM向大容量、高帶寬、低延時、超高頻發展。時創意LPDDR5X產品傳輸速率高達8533Mbps，內置ECC實時糾錯，并新增DVFS動態電壓頻率切換功能，其尺寸相比LPDDR4X減小30%。

據陳葆立介紹，為應對AI帶來的挑戰，英特爾提供了廣泛的數據中心產品組合，包括至強可擴展處理器、Gaudi加速器等，同時構建了全新的“CPU+GPU”異構LLM服務方案 Hetero Flow，通過CPU動態卸載稀疏MoE中的冷專家，顯著提升大模型推理并發能力。未來，英特爾將基于18A制程節點，于2026年推出下一代能效核產品Clearwater Forest（至強6+），支持高達8:1的服務器整合比例，可實現約750千瓦的功耗節約以及3.5倍的能效提升。