IT之家 11 月 12 日消息，集邦咨詢 Trendforce 昨日（11 月 11 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱“HBM 之父”金正浩預(yù)測(cè)，AI 時(shí)代的權(quán)力正從 GPU 轉(zhuǎn)向內(nèi)存，高帶寬閃存（HBF）將成為繼 HBM 之后的新戰(zhàn)場(chǎng)。

IT之家注：金正浩是韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）電氣工程學(xué)系的教授，他被廣泛認(rèn)為是將高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory，HBM）從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)的關(guān)鍵人物。

在 HBM 相關(guān)的多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，他做出了全球認(rèn)可的創(chuàng)新研究，包括硅通孔（TSV）、中介層（interposer）、信號(hào)線設(shè)計(jì)（SI）和電源線設(shè)計(jì)（PI）。

在做客 YouTube 頻道節(jié)目中，金正浩語出驚人：“在 AI 時(shí)代，權(quán)力天平正從 GPU 轉(zhuǎn)向內(nèi)存。”他認(rèn)為，內(nèi)存將在人工智能時(shí)代扮演愈發(fā)關(guān)鍵的角色，甚至預(yù)測(cè)英偉達(dá)未來可能收購一家內(nèi)存公司。

此外，他還強(qiáng)調(diào)了高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBF）的崛起，預(yù)計(jì)該技術(shù)將在 2026 年初取得新進(jìn)展，并于 2027 至 2028 年間正式亮相。

隨著傳統(tǒng)硬盤（HDD）行業(yè)艱難地向高成本的熱輔助磁記錄（HAMR）技術(shù)轉(zhuǎn)型，近線固態(tài)硬盤（Nearline SSD）正憑借其成本效益成為熱門替代方案。

與此同時(shí)，HBF 被視為突破 AI 集群存儲(chǔ)容量瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。在 AI 推理時(shí)代，內(nèi)存容量變得至關(guān)重要，其中鍵值緩存（KV Caching）等技術(shù)直接影響 AI 模型的響應(yīng)速度。因此，金正浩相信 HBF 將與 HBM 并駕齊驅(qū)，成為下一代主流內(nèi)存技術(shù)。

從概念上看，HBF 與 HBM 有相似之處，兩者都利用硅通孔（TSV）技術(shù)來垂直堆疊多層芯片。但不同的是，HBF 基于 NAND 閃存構(gòu)建，因此在容量和成本上具備顯著優(yōu)勢(shì)。

金正浩強(qiáng)調(diào)，盡管 NAND 閃存速度慢于 DRAM，但其容量可超過后者 10 倍。通過堆疊成百上千層，HBF 能夠滿足 AI 模型的巨大存儲(chǔ)需求，堪稱“HBM 的 NAND 版本”。

行業(yè)巨頭已迅速行動(dòng)。SanDisk 與 SK 海力士已于 2025 年 8 月簽署諒解備忘錄（MoU），旨在共同制定 HBF 技術(shù)規(guī)范并推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)化。他們的目標(biāo)是在 2026 年下半年發(fā)布 HBF 內(nèi)存樣品，首批采用 HBF 的 AI 推理系統(tǒng)預(yù)計(jì)于 2027 年初問世。

值得注意的是，在 10 月中旬舉行的 2025 年 OCP 全球峰會(huì)上，SK 海力士已率先展示了其全新的“AIN Family”存儲(chǔ)產(chǎn)品系列，其中就包括采用 HBF 技術(shù)的 AIN B 系列。

三星電子也已啟動(dòng)自有 HBF 產(chǎn)品的早期概念設(shè)計(jì)工作，希望利用其在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，滿足數(shù)據(jù)中心對(duì)高帶寬閃存日益增長(zhǎng)的需求。不過，該項(xiàng)目尚處初期階段，具體規(guī)格和量產(chǎn)時(shí)間表均未最終確定。

展望未來，金正浩將 AI 的多層級(jí)內(nèi)存體系比作一個(gè)智能圖書館：

GPU 內(nèi)的 SRAM 是桌面筆記，速度最快但容量最小；HBM 是旁邊的書架，用于快速存取和計(jì)算；而 HBF 則是地下書庫，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)海量 AI 知識(shí)并持續(xù)為 HBM 輸送數(shù)據(jù)。

他預(yù)測(cè)，未來 GPU 將同時(shí)集成 HBM 與 HBF，形成互補(bǔ)配置，標(biāo)志著計(jì)算與存儲(chǔ)融合的新紀(jì)元。