半導體行業的賽道熱度，從來都是技術迭代與市場需求共同催生的動態圖景。

當下，AI芯片在大模型浪潮推動下需求井噴，HBM以其高帶寬特性在數據存儲領域大放異彩，先進制程與先進封裝也在持續突破，搶占著行業的聚光燈。

相比之下，一度被全球資本追逐的“明星賽道”——功率半導體行業的“光環”逐漸被這些新興熱點覆蓋，顯得些許冷清。

在這波熱度更迭中，全球功率半導體的競爭格局也正發生微妙變化。曾經手握技術與產能優勢、計劃大力擴產以鞏固地位的日本廠商，其擴產進程屢屢陷入“拖延”困境，從項目啟動到產能落地的節奏遠不及預期，往日的行業主導力漸顯疲態；與之相對，國內功率半導體產業則抓住機遇加速突圍，在技術攻堅、產能建設與市場份額爭奪中持續發力，以強勁的“反撲”姿態逐步打破原有格局，為全球產業競爭注入新的變量。

不難看到，從熱點退潮到格局生變，功率半導體行業正站在新的十字路口。

日本功率半導體，疲態盡顯

近年來，隨著新能源汽車、光伏、風電等產業的快速發展以及寬禁帶半導體材料等新技術的應用推廣，功率半導體產業將迎來更加廣闊的發展。

日本廠商在功率半導體領域一直以來具有較強的競爭力，高峰時，三菱電機、富士電機、東芝、瑞薩、羅姆等日本廠商在全球功率半導體市場占有率排名前十中占據了五個席位。據Omdia 2021年數據顯示，三菱電機（第4）、富士電機（第5）、東芝（第6）、瑞薩（第9）、羅姆（第10）這五家企業合計占有全球20%以上的功率芯片市場份額。

筆者曾在《功率半導體，日本押下重注》一文中，詳細介紹了日本功率半導體廠商的規劃和布局，有興趣的讀者可以自行挑戰查看。

同時，日本政府在推動功率半導體發展上扮演著積極的角色。去年5月，日本政府發布關于發展半導體的增長戰略草案，旨在到2030年前將日本企業在全球功率半導體的市占由目前20%左右提高至40%。日本經濟產業省（METI）也正在通過推出補貼政策來支持功率半導體產業，展現出志在必得的擴張野心

然而，現實的發展并未如日本大廠們預期的那般順利。盡管日本在功率半導體領域具有舉足輕重的地位，但隨著全球競爭加劇、技術發展與市場需求變化，日本功率半導體產業迎來市場和行業變遷所帶來的挑戰，優勢逐漸消失，曾經野心勃勃的擴產計劃也一拖再拖。

從2024年全球功率半導體市場TOP10榜單來看，日本廠商僅剩三席，且全球市占率均不足5%。

日本功率半導體廠商，陷入困局

從當前企業動態和進展來看，日本功率半導體產業陷入了重重困境，撤退之勢愈發明顯。

羅姆：投資勢頭放緩

羅姆，這家在功率半導體領域曾勃勃雄心的企業，與當下的發展態勢形成鮮明反差。

在財務數據上，截至2025年3月的財年，羅姆公司錄得500億日元凈虧損，這是其12年來首次全年虧損。而在截至6月的季度，雖錄得29億日元凈利潤，卻同比下降14%。據報道，羅姆2025財年第一季度的營收為1162.05億日元，同比下降1.8%，營業利潤更是大幅下降84.6%至1.95億日元。

從市場需求端來看，作為羅姆功率半導體最大需求方的電動車市場，增長步伐放緩，這對其營收產生了極大的沖擊。與此同時，來自中國新興企業的激烈競爭，正持續侵蝕著羅姆的利潤空間。

為應對需求疲軟，羅姆不得不調整投資策略。原計劃在2025財年起的三年內對碳化硅（SiC）半導體投資2800億日元，如今考慮將投資額縮減至1500億日元。資本支出也隨之收縮，羅姆預測2025財年的資本支出將較上一財年下降36%至850億日元，預計折舊費用將下降26%至616億日元。

在產能擴張與產品開發計劃方面，羅姆同樣進展不順。近年來，羅姆積極投資于宮崎縣新功率半導體工廠等設施，計劃通過擴大產能、向8英寸平臺過渡以及推出新一代功率SiC器件和模塊，大幅提升功率SiC業務收入。其中，新工廠已開始SiC基板的試生產，并計劃于2026年春季開始SiC功率半導體的量產。但目前投資勢頭已放緩，產能擴張速度遠不及預期。

在產品開發上，盡管羅姆加速推出下一代SiC功率半導體，2024年6月宣布第六代產品將比原計劃提前一年上市，從2028年提前至2027年，原定于2029年上市的第七代產品也提前至2028年上市，第五代SiC MOSFET產品預計將于2025年以質量評估樣品的形式提供，第八代產品的開發已進入模擬設計階段。可即便如此，面對來勢洶洶的中國競爭對手，羅姆仍倍感壓力。羅姆功率器件業務負責人Kazuhide Ino坦言，如果開發速度無法超越中國競爭對手，羅姆將無法在市場上取得成功。羅姆甚至承認，中國制造商在SiC基板功能方面已達到頂級水平。

此外，羅姆新任社長東克己在分析公司產品時表示：“部分產品市場表現良好，但目前已缺乏羅姆獨有的特色產品。”這一言論也從側面反映出羅姆在產品競爭力上的不足。

展望未來，東克己計劃“強化與客戶的聯系，開發契合市場需求的產品”，并“考慮實施組織變革，讓研發人員能夠專注于產品研發”。公司高層也在持續研討深化與東芝于2024年3月宣布建立的半導體業務合作關系，試圖以此尋求新的發展機遇，然而成效仍有待時間檢驗。

東芝：本土進展寥寥，瞄準中國供應商

近年來，東芝在功率半導體板塊的發展之路也布滿荊棘。

在合作拓展方面，東芝與羅姆的深度合作陷入僵局，2024年初宣布的深化合作討論已“停滯”。

此前，雙方進行了兩輪合作談判，第一輪于2023年12月宣布制造合作，旨在利用彼此工廠降低投資成本；第二輪羅姆提出更廣泛合作意向，涉及研發、銷售和采購等多方面。2023年，羅姆向東芝投資3000億日元，作為東芝私有化收購案的一部分，彼時雙方優勢互補，被市場寄予厚望。

然而，如今實質性進展寥寥，消息人士稱羅姆已“放棄”在共同制造之外尋求更深入合作的努力。盡管羅姆表示共同制造穩步推進，更廣泛合作談判仍在進行，東芝也堅稱共同制造按計劃開展，但對更廣泛合作不予置評，這與東芝此前的回應一致，足見其合作拓展計劃嚴重受阻。

從投資回報來看，東芝在功率半導體領域也未達預期。2023年東芝將功率半導體業務定位為增長領域，計劃在截至2026財年的三年內共計投資約1000億日元。雖有兵庫縣姬路半導體工廠新廠房竣工，將承擔IGBT等功率半導體后道封裝業務，產品供應日本汽車相關廠商；石川縣加賀工廠也已建成，用于制造12英寸IGBT晶圓，投入運營后汽車功率半導體產能比2022財年增加一倍以上。但市場環境變幻莫測，電動汽車需求半停滯，即便電動化趨勢未改，可短期內東芝功率半導體業務難從大規模投資中獲取足夠回報。

此外，全球功率半導體市場競爭激烈，東芝面臨來自各方的挑戰。中國新興企業不斷崛起，在成本控制與市場響應速度上具有優勢，正逐步蠶食東芝的市場份額。老牌競爭對手也在持續發力，不斷推出新技術、新產品，壓縮東芝的生存空間。

能看到，在當前大環境下，東芝在功率半導體領域的動作愈發放緩，若無法進一步在合作、投資策略以及技術創新等方面做出有效調整，未來發展之路將愈發艱難。

在撰稿期間，前方傳來東芝與天岳先進簽署諒解備忘錄（MOU）的消息。根據該備忘錄，雙方將探討合作提升天岳先進開發和生產的碳化硅（SiC）功率半導體晶圓的特性和質量，并擴大天岳先進向東芝供應穩定、高質量的晶圓。

瑞薩電子：放棄SiC

瑞薩電子在功率半導體領域的發展，也可謂深陷泥沼、危機四伏。

2025年上半年，瑞薩電子凈虧損1753億日元，創下同期歷史最高虧損記錄，這一數據直觀地展現出其當下糟糕的財務狀況。

然而禍不單行，瑞薩電子6月無奈宣布放棄進入碳化硅市場的計劃。這一決定背后，是諸多復雜因素交織。而碳化硅市場局勢的變化正是關鍵因素之一。碳化硅雖未 “退潮”，但泡沫與現實的邊界正逐漸顯現。瑞薩的退出不是終結，而是一個信號：SiC不再是所有廠商的 “必選項”，而是成為真正有產能兌現力與成本控制力者的賽場。

從市場需求端來看，一方面電動汽車市場增長的緩慢態勢，極大地沖擊了碳化硅芯片的需求預期。瑞薩電子此前試圖擴大功率芯片產能，將寶押在不斷增長的電動汽車需求上，期望借此提振基于碳化硅構建的芯片市場，然而日本在電動汽車普及速度上，遠不及中國或歐洲，作為與日本汽車制造商關系密切的功率芯片公司，瑞薩電子深受其害。

另一方面，來自中國的競爭愈發激烈，市場份額不斷被蠶食。伯恩斯坦研究公司分析師David Dai指出，功率芯片制造商陷入困境的最大原因是與中國公司的價格戰，而瑞薩電子顯然在這場價格博弈中處于劣勢。

在這樣的市場周期下，對所有仍堅守SiC賽道的玩家而言，技術投入不再是唯一護城河，資本結構、產能兌現節奏、客戶結構與供應鏈安全，正在成為決定生死的新變量，而瑞薩電子在這些方面顯然未能占據優勢。

與此同時，瑞薩電子還受到美國公司Wolfspeed破產的沉重打擊。Wolfspeed作為碳化硅芯片襯底制造商，曾與瑞薩電子簽訂長期供貨協議，瑞薩早在2023年就向Wolfspeed支付20億美元定金，以鎖定未來十年的SiC晶圓供應，可如今Wolfspeed資金鏈緊張、產能難以兌現，瀕臨破產，這使得瑞薩電子不僅20億美元預付款面臨打水漂風險，還遭遇了原材料供應危機，規模化生產SiC計劃徹底落空。

在產能與人員規劃上，瑞薩電子同樣舉步維艱。原定于2025年初開始的大規模功率半導體生產被迫推遲，數據顯示，截至2024年12月的三個月內，公司制造設施產能利用率僅約30%，相較于上一季度的約40%進一步下滑。為削減成本，緩解經營壓力，瑞薩電子計劃在日本和海外的21000個崗位中，裁減不到5%（約1050人）的員工。

不僅如此，瑞薩電子因為中斷利用碳化硅材料開發新一代功率半導體的項目，原計劃2025年在群馬縣高崎工廠啟動的量產計劃取消，碳化硅產品團隊也已解散，后續量產時機仍在重新評估之中。

不難看到，曾經躊躇滿志的布局，如今化作泡影，瑞薩電子在功率半導體領域的發展，正面臨前所未有的挑戰，未來發展之路迷霧重重。

三菱電機：投資縮減、擴建推遲

曾幾何時，三菱電機對功率半導體業務滿懷憧憬，布局雄心勃勃。2023年3月，其宣布計劃在5年內投資約1000億日元，用于建設新的8英寸SiC工廠并加強相關生產設施，彼時規劃該廠房于2026年4月投入運營，還計劃在熊本縣合志市的工廠增強150毫米晶圓生產設備，在功率器件制作所（福岡市）投資100億日元建設新廠房用于后制程，并預計到2026年度，晶圓產能大幅增加至2022年度的5倍，目標是到2030財年將功率半導體業務中SiC的銷售額比例提高到30%以上。甚至一度宣布位于熊本縣正在建設的SiC晶圓廠將提前至2025年11月開始運營，工廠完工時間定為2025年9月。

然而，市場的風云變幻遠超預期，如今三菱電機在市場浪潮中也顯露出諸多頹勢。

當下，三菱電機不得不直面發展受阻的困境。其位于熊本縣、原定今秋投產的功率半導體新工廠的擴建計劃已被推遲。原本規劃在2026至2030財年的五年間豪擲3000億日元用于發展，如今卻陷入了投資額縮減的考量之中。

在當前市場需求變緩、市場競爭加劇的大環境下，三菱電機即便前期做了諸多準備，也難以抵擋市場下行的壓力，投資計劃被迫調整，未來發展增添了諸多不確定性，曾經的宏偉藍圖如今正面臨嚴峻挑戰。

富士電機：營收下降，措手不及

在財務表現上，2024財年富士電機凈利達到1,188億日元，同比增長10.1%，但因市場環境的急劇變化，其2025會計年度凈利預計下降12.2%，至810億日元。從業務板塊來看，電動車（EV）用功率半導體訂單的減少，給富士電機帶來了沉重打擊。半導體設備營收下降5.8%，營益更是銳減42%，僅剩215億日元。

與之形成鮮明對比的是，其能源和工業設備業務表現相對較好，能源事業營收預計增長5.7%，營益增長38%；工業設備營益增長19%，凸顯出功率半導體業務的發展不利。

全球市場競爭的加劇，讓富士電機的處境愈發艱難。在全球功率半導體市場中，中國新興功率半導體企業正憑借成本與價格優勢，加速搶占市場份額。富士電機曾經引以為傲的產品優勢，正逐漸被削弱。

在國內市場，富士電機更是面臨著巨大挑戰。歐美外資品牌在中國市場掀起了降價潮，降價幅度超過30%，這一舉動雖為無奈之舉，試圖通過價格戰延緩國產SiC和IGBT模塊的替代進程，但也側面反映出富士電機在面對中國本土企業競爭時的無力感。像比亞迪半導體、中車時代等國產IGBT廠商，在新能源汽車市場的份額從2019年的20%躍升至2023年的60%以上，富士電機在這一細分領域的市場空間被嚴重壓縮。

市場需求的變化也讓富士電機措手不及。富士經濟調查顯示，由于電動汽車需求放緩、工廠自動化投資下降以及中國經濟增長態勢的轉變等因素，功率半導體市場在2024年遭受庫存積壓的沖擊，這對富士電機的生產與銷售計劃產生了極大的干擾。

為了應對市場環境的變化，富士電機也在嘗試通過合作來尋求突破。2025年，電裝收購了羅姆約5%股份，并與富士電機在碳化硅領域建立合作關系，期望借助合作開發新技術、拓展市場。然而，過往日本企業間的合作困境重重，各公司產品線廣泛且對專有技術保密甚嚴，導致合作推進緩慢。富士電機此次合作能否打破僵局，取得實質性成果，仍充滿不確定性。

日本功率半導體困局，原因何在？

在全球功率半導體的激烈競爭格局中，日本企業曾經占據著領先地位，如今卻深陷頹勢，面臨著諸多嚴峻挑戰，造成這一問題的原因可歸結為內外兩部分因為。

一方面，內部整合艱難：

缺乏信任與協作：從企業內部來看，各家公司對自身專有技術過度保護。一位日本大型芯片制造商的資深員工透露，公司的生存高度依賴能否開發出契合客戶規格的產品，所以在產品規格信息共享方面極為謹慎，生怕專有技術泄露，即便是對客戶也小心翼翼。這種對技術泄露的擔憂，使得企業間難以建立起深度信任，而信任恰是深度整合與協作的基石。并且，由于每家企業都擁有廣泛的產品線，在協調過程中，從生產安排到技術融合，都面臨著諸多難題，極大地阻礙了企業間的合作進程。

無明確領導者：在整個行業層面，日本功率半導體領域缺乏一個能夠主導整合的龍頭企業。目前各企業市場份額相當，且各自具備獨特優勢，沒有一家企業愿意在整合過程中做出讓步，缺乏核心引領者來統籌規劃，使得大規模的行業整合難以推進。

戰略差異：以羅姆為例，它于1954年在京都成立，最初是收音機電阻器制造商，之后憑借專業元件制造取得成功，這種獨立發展起來的模式與東芝、三菱電機等隸屬于大型電子或汽車集團的企業有著截然不同的文化與戰略目標。羅姆更專注于特定元件領域，而東芝和三菱電機的業務范疇更為廣泛，戰略重心的不同使得它們在尋求合作時，難以達成一致。

另一方面，外部競爭壓力也是日本功率半導體產業衰退的關鍵：

中國企業的崛起：中國新興功率半導體企業發展迅猛，在全球市場上迅速搶占份額。在碳化硅基板制造市場，天科合達和天岳先進等企業已嶄露頭角，甚至可以說中國企業幾乎主導了這一市場。中國企業不僅在產能上不斷擴張，而且憑借國內龐大的電動汽車市場需求，能夠實現規模化生產，有效降低成本。同時，中國企業還能借助客戶數據持續改進產品，進一步提升產品競爭力。在全球功率半導體市場，中國企業的價格優勢也迫使日本企業陷入價格戰的困境，不斷壓縮其利潤空間。

市場需求變化：全球電動汽車市場的發展態勢并未如日本企業預期的那樣樂觀。歐洲等地電動汽車市場增速低于預期，而日本在電動汽車普及方面，相較于中國和歐洲明顯滯后。這使得日本功率半導體企業在面向電動汽車應用的芯片產能擴張計劃受挫，前期大量的投資無法通過市場需求得以消化，造成產能過剩與投資回報不足的問題。

中國功率半導體崛起，日本承壓加劇

在全球功率半導體領域，日本企業曾長期憑借深厚的技術積累與成熟的產業體系占據優勢地位。然而，近年來中國功率半導體產業如同一顆迅猛升起的新星，以令人驚嘆的速度布局、突破與進展，對日本產業和企業造成了巨大沖擊，使得日本功率半導體行業的競爭力面臨前所未有的嚴峻挑戰。

《日經亞洲》8月20日的報道鮮明地指出，中國企業在硅（Si）和碳化硅（SiC）基板制造方面正逐步構建起完整的生產能力，依托低廉的能源成本與龐大的國內市場，實現了快速成長，其獨特的垂直整合模式更是對日本企業形成了強有力的挑戰。

盡管局勢緊迫，但東芝、羅姆、三菱電機等日本廠商至今仍未能形成統一戰線，協同應對競爭。業內專家直言，日本與中國企業在硅芯片技術上的差距或許僅一到兩年，在碳化硅芯片方面也至多三年。日本企業此前高估了本土電動汽車市場的發展潛力以及自身在全球的競爭力，當下必須加速產業整合，才有可能提升成本競爭力。

天科合達與天岳先進作為碳化硅襯底領域的領跑者，逐漸打造出了“技術-產能-市場-國際化”的全鏈路體系。

其中，天科合達以17.3%的市場份額位居全球第二，其碳化硅襯底年產能覆蓋北京、江蘇、深圳等地，僅深圳基地2024年襯底和外延產能就達25萬片；天岳先進則以17.1%的份額位列全球第三，不僅實現8英寸襯底量產，還率先推出12英寸襯底，推動單片晶圓芯片產出量提升40%以上。

在供應鏈端，天科合達和天岳先進已深度綁定國際大廠。英飛凌與兩家企業簽訂長期供應協議，其SiC襯底采購量占比達兩位數，而意法半導體通過與三安光電合資建廠，將中國作為其全球SiC制造基地之一；還有上文提到的，東芝與天岳先進日前新簽署了一份諒解備忘錄（MOU），根據該備忘錄，雙方將探討合作提升天岳先進開發和生產的碳化硅（SiC）功率半導體晶圓的特性和質量，并擴大天岳先進向東芝供應穩定、高質量的晶圓。

這種合作模式不僅降低了國際大廠的成本，還加速了中國技術標準的全球化推廣。

在終端應用領域，士蘭微、基本半導體、三安光電等一眾中國企業已實現關鍵突破，逐步替代海外進口產品。這些進展直接擠壓了日本企業的市場空間——2024 年三菱電機、富士電機等日本廠商全球市場份額均不足5%，且面臨中國企業在中低端市場的價格圍剿和高端市場的技術追趕。

在氮化鎵領域，英諾賽科作為全球首家實現8英寸硅基GaN晶圓量產的企業，自2023年以33.7%的收入份額穩居全球GaN功率器件市場第一以來，持續主導市場份額。其IDM全產業鏈模式（從設計、制造到封測）保障了產品穩定性，并為NVIDIA Kyber機架系統提供全鏈路GaN電源解決方案，成為其800V直流架構中唯一的中國供應商。近日，英諾賽科市值更是突破740億港元大關，上市短短不到一年時間便躍升為功率器件企業市值TOP1，可見其實力非同一般。

中國功率半導體產業的快速發展，憑借成本優勢、規模效應以及對市場的快速響應能力，從多方面對日本產業和企業造成了沖擊，不斷搶占市場份額。

在技術競爭上，中國企業的快速追趕壓縮了日本企業的技術領先優勢。曾經日本在功率半導體技術上大幅領先，但如今在硅芯片和碳化硅芯片技術方面，與中國企業的差距不斷縮小。日本企業過往依賴的技術壁壘正逐漸被打破，若不能加快技術創新與產業整合，未來在技術競爭中將愈發被動。

寫在最后

在功率半導體產業版圖中，局勢瞬息萬變。曾經，日本企業憑借深厚底蘊在該領域占據重要地位，可如今，卻在重重挑戰下艱難摸索前行之路。

回顧往昔，20世紀90年代，日本芯片產業因未能敏銳洞察行業從垂直整合向專業化分工轉型的大勢，致使富士通、NEC等行業巨擘走向沒落，這無疑是一記沉重的歷史警鐘。

當下，功率芯片產業正站在命運的十字路口，中國企業憑借價格戰與規模化優勢，如同一股新興的強大力量，強勢攪動市場格局。

面對功率半導體產業的競爭困局，日本企業因產業碎片化、內部協作匱乏陷入被動，即便政府與企業已著手應對，產業整合步伐仍顯遲緩，曾經的技術優勢也在逐步縮小。正如日本畢馬威FAS合伙人岡本純所言，“電動汽車用功率半導體的需求要到2026年以后才會真正復蘇”，在市場復蘇尚需時日的當下，日本功率芯片產業的破局更需政府與企業協同發力、當機立斷，若執著于短期利益而無法凝聚合力，恐難在全球競爭中守住陣地。

政府層面，雖已通過經濟產業省推動設計與制造流程合作，并為富士電機-電裝聯盟、羅姆-東芝合作分別提供資金支持，但相較對尖端邏輯芯片項目的投入仍顯不足。后續需進一步加大功率半導體領域資金扶持、優化投入結構，同時通過稅收優惠、行政審批便利等政策，引導企業深化整合。

企業層面，則需徹底摒棄“各自為戰”思維，一方面深化合作聯盟——在研發端聯合設中心攻克技術、銷售端整合渠道拓展市場、供應鏈端協同降本保穩定；另一方面調整戰略布局，擺脫對電動汽車單一領域的過度依賴，轉向工業自動化、能源等需求增長領域開發差異化產品，以匯聚產業合力、開拓多元市場，扭轉競爭劣勢。

唯有如此，日本功率芯片產業才有可能在風云變幻的市場中，找準新的定位，重拾往日輝煌，在全球功率半導體產業的激烈競爭中贏得一席之地。