8 月 29 日消息,經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)昨日(8 月 28 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè) 1.4nm 先進(jìn)制程新廠,預(yù)計(jì) 10 月動(dòng)工,總投資 1.2~1.5 萬(wàn)億新臺(tái)幣(注:現(xiàn)匯率約合 2807.39 ~ 3509.24 億元人民幣),首期兩座廠房計(jì)劃 2028 年量產(chǎn),后續(xù)有望推進(jìn)至 1nm。
消息稱臺(tái)積電已陸續(xù)通知施工團(tuán)隊(duì)、水泥及廠務(wù)工程商,并加速推進(jìn)相關(guān)招標(biāo)工作。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,將在中科園區(qū)內(nèi)建成 F25 半導(dǎo)體工廠,設(shè)四座廠房。
首座廠房預(yù)計(jì) 2027 年底試產(chǎn),2028 年下半年量產(chǎn),營(yíng)收有望突破 5000 億新臺(tái)幣。第一期兩座廠為 1.4nm 制程,第二期則可能升級(jí)至 A10(1nm)制程。
此外消息稱新竹寶山二期的臺(tái)積電 Fab 20 二廠將改為 1.4nm 制程與研發(fā)線,三廠為 1nm 制程,四廠不排除布局 0.7nm 可能。臺(tái)積電已要求供應(yīng)商準(zhǔn)備 1.4nm 所需設(shè)備,并計(jì)劃在寶山第二廠裝設(shè)試產(chǎn)線,表明技術(shù)推進(jìn)順利。(故淵)





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