8 月 29 日消息，經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)昨日（8 月 28 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè) 1.4nm 先進(jìn)制程新廠，預(yù)計(jì) 10 月動(dòng)工，總投資 1.2~1.5 萬(wàn)億新臺(tái)幣（注：現(xiàn)匯率約合 2807.39 ~ 3509.24 億元人民幣），首期兩座廠房計(jì)劃 2028 年量產(chǎn)，后續(xù)有望推進(jìn)至 1nm。

消息稱臺(tái)積電已陸續(xù)通知施工團(tuán)隊(duì)、水泥及廠務(wù)工程商，并加速推進(jìn)相關(guān)招標(biāo)工作。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，將在中科園區(qū)內(nèi)建成 F25 半導(dǎo)體工廠，設(shè)四座廠房。

首座廠房預(yù)計(jì) 2027 年底試產(chǎn)，2028 年下半年量產(chǎn)，營(yíng)收有望突破 5000 億新臺(tái)幣。第一期兩座廠為 1.4nm 制程，第二期則可能升級(jí)至 A10（1nm）制程。

此外消息稱新竹寶山二期的臺(tái)積電 Fab 20 二廠將改為 1.4nm 制程與研發(fā)線，三廠為 1nm 制程，四廠不排除布局 0.7nm 可能。臺(tái)積電已要求供應(yīng)商準(zhǔn)備 1.4nm 所需設(shè)備，并計(jì)劃在寶山第二廠裝設(shè)試產(chǎn)線，表明技術(shù)推進(jìn)順利。（故淵）