去膠機

去膠機是一種利用等離子體技術進行表面清洗和去膠的設備，廣泛應用于材料科學、電子與通信技術等領域。其主要功能是通過氣體放電產生等離子體，這些高能粒子能夠解離化學鍵、改變分子結構，從而有效去除材料表面的污染物、有機物等雜質。

工作原理

等離子去膠機通過射頻電源產生高頻電磁場，使氣體分子電離形成等離子體。這些等離子體中含有大量高能電子、離子和自由基等活性粒子，能夠與材料表面的污染物發生化學反應，將其分解成小分子并去除。

物理轟擊：在等離子體環境中，存在著大量的高能離子和電子。這些帶電粒子在電場的作用下加速，以較高的能量轟擊晶圓表面的光刻膠。光刻膠分子在高能粒子的撞擊下，化學鍵被打斷，分子結構被破壞，從而使光刻膠從晶圓表面脫落。

化學反應：等離子體中還包含著各種活性自由基和化學基團。這些活性物質與光刻膠分子發生化學反應，將光刻膠分子轉化為揮發性的化合物。例如，氧氣等離子體中的氧自由基與光刻膠中的碳氫化合物發生反應，生成二氧化碳和水等揮發性物質，這些物質可以通過真空泵抽出反應腔，從而達到去除光刻膠的目的。

晶圓用等離子去膠機

晶圓等離子處理設備優勢特點

干法去膠：整個處理過程在干燥環境下進行，處理完成后可直接進入下一道工序。

處理速度快：整個處理過程只需幾秒到幾十秒，具體時間根據需求及工藝決定。

低溫處理：處理過程中溫度較低，不會對產品本身造成損壞。

環保：相比濕式處理，等離子去膠避免了化學藥劑的廢棄物處理，更加環保。

安全無害：處理過程不產生污染，不會對人體造成傷害。

精確去除光刻膠：能夠實現對晶圓表面光刻膠的高效、精確去除，不會對晶圓本身造成損傷，滿足半導體制造中對高精度工藝的要求。在制造納米級別的芯片結構時，等離子去膠可以準確地去除特定區域的光刻膠，為后續的蝕刻、沉積等工藝提供干凈的晶圓表面。

提高生產效率：相比傳統的濕法去膠工藝，等離子去膠具有更高的去除速度和更好的均勻性，可以大大縮短工藝時間，提高生產效率。同時，等離子去膠是一種干法工藝，不需要使用大量的化學試劑，減少了廢水處理等后續環節，降低了生產成本和環境污染。

改善表面質量：等離子去膠過程中，由于高能粒子的轟擊和化學反應的作用，不僅可以去除光刻膠，還可以對晶圓表面進行一定程度的清洗和活化，改善晶圓表面的微觀結構和化學性質，有利于后續薄膜沉積等工藝的進行，提高薄膜與晶圓表面的附著力和均勻性。