3 月 27 日消息，西湖儀器宣布率先成功實(shí)現(xiàn) 12 英寸碳化硅 (SiC) 襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案。該方案大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。

在此前的 2024 年 11 月，天岳先進(jìn)發(fā)布了業(yè)界首款 300mm 的 N 型碳化硅襯底。更大的襯底尺寸擴(kuò)大了單一晶圓上可用于芯片制造的面積，降低了邊緣損失比例，而這也帶來了對 12 英寸及以上的超大尺寸碳化硅襯底切片技術(shù)的需求。

西湖儀器開發(fā)的新技術(shù)實(shí)現(xiàn)了晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動(dòng)化，其在激光剝離過程中不存在材料損耗，僅需在后續(xù)減薄工序中將上下表面共去除約 80-100μm 的材料，擁有更低原料損耗率，此外襯底出片時(shí)間也大幅縮短。

了解到，西湖儀器（杭州）技術(shù)有限公司成立于 2021 年 12 月，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的專業(yè)化儀器設(shè)備公司，其創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)來自西湖大學(xué)納米光子學(xué)與儀器技術(shù)實(shí)驗(yàn)室。