2月24日消息，據(jù)韓國媒體報道，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND（V10）開始，將使用長江存儲的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。

三星計(jì)劃在2025年下半年量產(chǎn)下一代V10 NAND，預(yù)計(jì)堆疊層數(shù)將達(dá)到420至430層，當(dāng)層數(shù)超過400層時，底層外圍電路的壓力會顯著增加，影響芯片的可靠性。

為了解決這一問題，三星決定在V10 NAND中引入W2W混合鍵合技術(shù)，該技術(shù)通過直接將兩片晶圓貼合，無需傳統(tǒng)凸點(diǎn)連接，從而縮短電氣路徑，提高性能與散熱能力，同時優(yōu)化生產(chǎn)效率。

而早在四年前，長江存儲就率先將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND制造，并命名為“晶棧（Xtacking）”，同時建立了完善的專利布局。

業(yè)內(nèi)人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專利的公司包括美國Xperi、中國長江存儲和中國臺灣臺積電，三星幾乎無法繞開長江存儲的專利布局。

因此三星最終選擇通過專利授權(quán)方式達(dá)成協(xié)議，而非嘗試規(guī)避專利，以降低未來潛在的法律和市場風(fēng)險，并加快技術(shù)研發(fā)進(jìn)度。

此外除了三星，SK海力士也在開發(fā)用于400層以上NAND產(chǎn)品的混合鍵合技術(shù)，未來可能同樣需要與長江存儲達(dá)成專利授權(quán)協(xié)議。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，未來三星在V10、V11、V12等后續(xù)NAND產(chǎn)品的開發(fā)過程中，仍可能需要繼續(xù)借助長江存儲的專利技術(shù)。