12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”或“公司”，股票代碼02577.HK）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。全球發(fā)售4536.4萬股H股，發(fā)行價格為每股30.86港元，午盤前股價最高漲至每股34港元。

目前國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。其中，氮化鎵作為第三代半導體材料的典型代表，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，氮化鎵傳導電子的效率，甚至可以高出1000倍。

隨著新能源汽車、光伏、儲能等產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，需求高增長的背后也催生了對半導體的轉(zhuǎn)化效率、成本等多方面提出了更高要求，因此，效率更高、性能更優(yōu)的氮化鎵自然成為國內(nèi)外多家巨頭關(guān)注的焦點。作為氮化鎵功率半導體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，英諾賽科此次成功登陸資本市場，有望進一步提升其在全球氮化鎵市場的地位。

翻開公司的招股說明書，包括全球半導體龍頭和知名機構(gòu)在內(nèi)的多位基石投資人、營收近200%的復合年增長率、4年后超500億的行業(yè)總體市場規(guī)模，以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)能、出貨量及收入的多個第一……這一個個亮眼的信息或數(shù)據(jù)都向行業(yè)和投資人們呈現(xiàn)出一個正處在高速上升通道的細分龍頭公司樣本。

上市加快全球化布局

作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓，同時亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司，英諾賽科近幾年的發(fā)展可謂“飛速”。

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，以2023年收入計算，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體企業(yè)中排名第一。

公司招股書

不僅僅是2023年，根據(jù)招股書披露的數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科憑借氮化鎵產(chǎn)品在多個應用場景中的滲透，營業(yè)收入在近幾年實現(xiàn)強勁增長。具體來看，2021年—2023年和2024年上半年，英諾賽科的營業(yè)收入分別為人民幣0.68億、1.36億、5.93億和3.86億元，并且海外市場的收入也在不斷增長。

值得注意的是，在2021—2023年的3年間公司不僅僅增速有著成倍的提升，復合年增長率更是高達194.8%。

不過駱薇薇博士和英諾賽科似乎并不滿足于現(xiàn)狀，這從公司提出的“推動全球氮化鎵生態(tài)發(fā)展并提升市場滲透率”的發(fā)展戰(zhàn)略中就能看出一二。

事實上，英諾賽科正在通過加大產(chǎn)能擴張、持續(xù)研發(fā)夯實技術(shù)壁壘和堅持不懈實施全球化的戰(zhàn)略來實現(xiàn)上述目標。而此次上市募資，也是實現(xiàn)公司發(fā)展戰(zhàn)略中的重要一步。

具體看來，上市募資所得款項凈額的約60.0%將用來擴大8英寸的氮化鎵晶圓產(chǎn)能(計劃在未來5年內(nèi)從截至2024年6月30日的每月12,500片晶圓增加至每月70,000片晶圓)、購買及升級生產(chǎn)設備及機器以及招聘生產(chǎn)人員；約20.0%將用于研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場的滲透率；約10.0%將用于擴大公司氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡。

不僅僅是業(yè)務上的高速成長，往績記錄期內(nèi)盈利方面英諾賽科近幾年的數(shù)據(jù)也向投資人傳遞出良好信號。從披露的財務數(shù)據(jù)上看，英諾賽科從2021年至2024年上半年凈虧損正在逐步收窄。

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如果更深層次分析的話，英諾賽科利潤的虧損并非公司核心基本盤的氮化鎵產(chǎn)品出現(xiàn)了問題。翻閱招股書不難發(fā)現(xiàn)，除了大量持續(xù)性的科研及一些營銷的投入外，有兩項非經(jīng)營性因素對公司近三年的凈虧損影響較大。

首先，是公司在多次融資過程中授予投資者金融工具贖回權(quán)產(chǎn)生的負債賬面值變動。此類股權(quán)融資對凈利潤產(chǎn)生的影響和公司的日常經(jīng)營無關(guān)，并且只是暫時性影響賬面凈利潤。英諾賽科上市之后，股權(quán)融資對凈利潤產(chǎn)生的虧損影響會自動消除，而這也是香港上市申報和國際會計準則下的正常情況。

除此之外，是用于員工的股權(quán)激勵計劃所產(chǎn)生的開支，而對于技術(shù)驅(qū)動型公司來說，在核心團隊激勵上的持續(xù)投入也有助于未來長期穩(wěn)定的發(fā)展。

至此，不難預測隨著公司成功登陸港交所，完成產(chǎn)線、營銷網(wǎng)絡的擴張，和研發(fā)的持續(xù)投入，英諾賽科將進一步擴大在全球氮化鎵功率半導體的市場占有率。

技術(shù)驅(qū)動夯實領(lǐng)導者地位

氮化鎵因其材料特性優(yōu)勢，正逐步在功率半導體領(lǐng)域取代傳統(tǒng)硅芯片，英諾賽科憑借其8英寸晶圓工藝技術(shù)的領(lǐng)先和IDM模式，已經(jīng)在此次革命性替代中建立了牢固護城河，并成為全球功率半導體革命領(lǐng)導者。

熟悉半導體產(chǎn)業(yè)的一定知道，采用IDM模式的公司通常會經(jīng)歷這樣的產(chǎn)業(yè)周期，即在產(chǎn)能增加的同時，會產(chǎn)生大額前期資本支出及研發(fā)開支。此外，這些公司在實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟之前會經(jīng)歷design-in及design-win的過程。因此，前期一定程度的虧損對于這類公司來說是一個發(fā)展必經(jīng)的過程。

英諾賽科也正是如此，自2017年成立以來，公司就持續(xù)推進技術(shù)創(chuàng)新，而這也是公司得以成為行業(yè)龍頭的底層邏輯。

招股書披露的數(shù)據(jù)顯示，僅在2021年至2024年上半年，英諾賽科就在氮化鎵產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)上投入合計約17.37億元。同時，英諾賽科還在蘇州建立全球研發(fā)中心，定位其為第三代半導體材料及芯片的領(lǐng)先研發(fā)中心。截至2024年12月10日，公司在全球有406項專利及387項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關(guān)鍵領(lǐng)域。

不僅如此，在人才儲備上，英諾賽科還擁有一支由304名專業(yè)人才組成的強大研發(fā)團隊，其中多數(shù)成員均為半導體行業(yè)資深人士。同時，英諾賽科還前瞻性地布局國際研發(fā)資源，在歐洲、北美及亞洲建立研發(fā)團隊，專注于產(chǎn)品設計、研發(fā)及可靠性評估。

此次公司IPO募資也將持續(xù)在研發(fā)投入，實現(xiàn)在技術(shù)上的不斷迭代和領(lǐng)先，并夯實優(yōu)勢。隨著更多產(chǎn)能的釋放和技術(shù)的持續(xù)驅(qū)動，英諾賽科也將鞏固在氮化鎵功率半導體產(chǎn)品的領(lǐng)導者地位。

也正是憑借公司在技術(shù)方面的領(lǐng)先地位和商業(yè)化能力，英諾賽科的氮化鎵產(chǎn)品已獲得廣泛的市場認可，并有助于以氮化鎵產(chǎn)品為核心的生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一，市占率高達42.4%。同時，截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，公司氮化鎵分立器件累計出貨量超過8.5億顆，進一步鞏固了其行業(yè)領(lǐng)導地位。

上市前知名機構(gòu)、半導體龍頭密集入股

領(lǐng)先的技術(shù)、不斷擴大的市場份額和高增長的市場空間，英諾賽科從成立至今一直受到各方資本的青睞，就連寧德時代創(chuàng)始人、董事長、CEO 曾毓群也以個人投資者的身份入股英諾賽科。

上市在即，更是有全球行業(yè)巨頭和知名機構(gòu)，用實際行動表示對于英諾賽科和氮化鎵未來發(fā)展的認可。

據(jù)最新招股書披露，意法半導體旗下STMicroelectronics Limited(“STHK”)、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)(“江蘇國企混改基金”)、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項母基金(有限合伙)(“蘇州高端裝備”)及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司(“東方創(chuàng)聯(lián)”)，成為英諾賽科的基石投資者。

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值得一提的是，全球半導體巨頭意法半導體出現(xiàn)在基石投資者的名單中，并且包攬了基石投資總金額的一半，這代表著行業(yè)巨頭對于氮化鎵未來市場的看好。

不過從目前新能源汽車開始規(guī)模化使用第三代半導體的趨勢來看，意法半導體此舉并非無心之舉。

“春江水暖鴨先知”，作為特斯拉碳化硅的核心供應商，意法半導體肯定已經(jīng)感受到了氮化鎵替代趨勢，而投資英諾賽科則是為接下來氮化鎵的大規(guī)模使用提前布局。

英諾賽科表示，憑借意法半導體在行業(yè)的經(jīng)驗及市場地位以及江蘇國企混改基金、蘇州高端裝備及東方創(chuàng)聯(lián)的投資經(jīng)驗，基石配售將有助于提升公司的形象，并表明基石投資者對公司的業(yè)務及前景充滿信心。

不僅如此，12月19日，另外一家半導體知名公司矽力杰股份有限公司（Silergy Corp）（以下簡稱“矽力杰”）也選擇在上市前戰(zhàn)略入股英諾賽科，擬以2000萬美元購買公司0.5%的股權(quán)。

有業(yè)內(nèi)人士指出，作為深耕電源管理芯片10余年的老牌公司矽力杰的此次投資不僅將為雙方打開未來技術(shù)發(fā)展的空間，同時也將擴大雙方在各自產(chǎn)品的市場占有率，最終達成從業(yè)務到戰(zhàn)略層面上的強強互補。

事實上，作為最新一代半導體材料，氮化鎵半導體器件近年來已廣泛應用于各行各業(yè)，與硅及其他半導體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、抗輻射能力強、導通電阻低、無反向恢復損耗等顯著優(yōu)勢。根據(jù)全球知名專業(yè)咨詢公司弗若斯特沙利文的資料，預計全球氮化鎵功率半導體市場規(guī)模將由2024年的32.3億元，增長到2028年的501.4億元規(guī)模，復合年增長率為98.5%。占全球功率半導體市場的比例將提升至10.1%。

作為未來500億氮化鎵功率半導體市場中的龍頭公司，在可預見的未來，英諾賽科將逐步實現(xiàn)盈利，并加快推動全球氮化鎵生態(tài)發(fā)展并提升市場滲透率。