11 月 21 日消息，日本瑞薩電子昨日宣布率先推出面向第二代 DDR5 MRDIMM（注：12800MT/s）的完整內存接口芯片組解決方案，包含新款 MRCD、MDB、PMIC 芯片和配套的溫度傳感器與 SPD 集線器。

瑞薩表示，AI、HPC 和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的 DDR5 MRDIMM。與目前 8800MT/s 的初代產品相比，下一代 DDR5 MRDIMM 可實現 35% 的內存帶寬提升。

瑞薩此次推出了三款面向第二代 DDR5 MRDIMM 的全新關鍵組件，分別是多路復用寄存時鐘驅動器（MRCD）芯片 RRG50120、多路復用數據緩沖器（MDB）芯片 RRG51020、PMIC 芯片 RRG53220。這三款芯片現已出樣，計劃 2025H1 投產。

瑞薩表示其第二代 MRCD 芯片 RRG50120 相較初代產品功耗降低 45%；而為 DDR5 MRDIMM 打造的第二代 PMIC 芯片 RRG53220 可提供出色的電氣過壓保護和卓越的能效，并針對高電流及低電壓操作進行了優化。

瑞薩高管 Davin Lee 表示：

AI 和 HPC 應用對更高性能系統的需求持續增長。瑞薩緊跟這一趨勢，與行業領導者攜手開發下一代技術及規范。這些公司依靠瑞薩提供的專業技術知識和生產能力來滿足日益增長的需求。

我們面向第二代 DDR5 MRDIMM 的最新芯片組解決方案，體現了瑞薩在這一市場領域的卓越地位。