9 月 10 日消息，日本信越化學當地時間本月 3 日宣布成功開發出用于氮化鎵 GaN 外延生長的 300mm（注：一般也稱 12 英寸）的 QST 襯底，并已從近期開始向客戶供應相關樣品。

相較于以 12 英寸晶圓為主流的硅半導體，氮化鎵生產目前仍集中在 6 英寸與 8 英寸上，這其中部分是因為氮化鎵和硅熱存在熱膨脹系數差異，大尺寸硅基襯底容易導致在其上生長的氮化鎵外延層出現翹曲與開裂。

信越化學的 QST 襯底技術源自美國企業 Qromis 的專利授權，這一復合材料具有同氮化鎵更為接近的熱膨脹系數，減少了大尺寸襯底上氮化鎵外延層出現缺陷的風險，更適宜大厚度、高電壓氮化鎵器件的制造。

信越化學此前已推出 6 英寸和 8 英寸的 QST 襯底，此次 12 英寸款開發成功有助于提升氮化鎵生產規模、降低遠期產線持續運行成本，從而推低氮化鎵產品的價格、加速氮化鎵器件的普及。