9 月 4 日消息，SK 海力士封裝研發副社長李康旭（Kangwook Lee）于 9 月 3 日出席“2024 年異構集成全球峰會”，發表了名為“面向人工智能時代的 HBM 和先進封裝技術”的演講，表示公司正在開發 16 層 HBM4 內存。

Lee 在演講中強調異構集成技術（封裝不同工藝的半導體芯片）重要性日益凸顯，通過合理利用該技術，海力士將進一步提高第 6 代 HBM4 產品（計劃明年產量）的性能。

目前的 8 層和 12 層 HBM3E 每秒可處理超過 1.18TB （太字節）的數據，并支持高達 36GB 的容量。HBM4 將提供 12 層和 16 層產品，最大容量為 48GB，數據處理速度超過每秒 1.65TB。

Lee 表示：“通過在 HBM4 的基礎芯片上應用邏輯工藝，我們預計性能和能效都將得到提升”。

SK Hynix 和臺積電正在合作開發 HBM4，計劃于 2025 年量產。開發的關鍵是使用臺積電的 5 納米工藝來創建 HBM4 封裝底部的基底芯片。

HBM 是在基底芯片上堆疊多個 DRAM，并使用 TSV（硅通孔）技術將它們垂直連接起來。基底芯片連接到 GPU（圖形處理單元）并控制 HBM 的性能。

Lee 還強調了 SK Hynix 采用的先進 MR-MUF 技術的優勢。MR-MUF 封裝技術可實現低粘合壓力和溫度應用以及批量熱處理，與其他工藝相比，在散熱方面具有 30% 以上的性能優勢。

援引他的演講內容：“我們正在為 16 層產品準備先進的 MR-MUF 和混合鍵合（Hybrid Bonding）方法，并計劃選擇滿足客戶需求的最佳方法”。

SK 海力士目前正在利用 MR-MUF 技術批量生產 HBM3 和 HBM3E 8 層產品，并利用先進的 MR-MUF 技術批量生產 12 層產品，HBM4 12 層產品也將使用同款技術，這些產品計劃于明年下半年出貨。此外，SK Hynix 還在為 HBM4 之后的第七代 HBM4E 做準備。

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