8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在業界率先成功開發第六代 10 納米級（1c nm）DDR5 DRAM 內存的同時，也表示 1c nm 工藝將用于多款其它 DRAM 內存產品。

SK 海力士 DRAM 開發擔當副社長金鍾煥在新聞稿中表示：

1c 工藝技術兼備著最高性能和成本競爭力，公司將其應用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。

今后公司也將堅守 DRAM 市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的 AI 用存儲器解決方案企業的地位。

注意到，金鍾煥在發言中為采用 1c nm 制程的 LPDDR 與 GDDR 指定了產品世代，但并未在 HBM 產品上提到具體世代。

根據此前報道，SK 海力士的 HBM4E 內存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片，此外 SK 海力士內部也曾有在 HBM4 產品中就導入 1c nm DRAM 的聲音。