2025年，全球碳化硅（SiC）外延片行業進入“8英寸沖刺年”。從瀚天天成、天域半導體兩大代工龍頭的產能軍備，到湖南三安、安意法、天岳先進等垂直整合者的通線戰果，再到6英寸價格逼近成本線、8英寸均價一年腰斬，市場呈現“頭部集中、技術卡位、價格跳水”的典型特征。本文結合多家公司最新招股書及公開資料，對參與主體、產能布局、技術突破與價格走勢進行系統梳理。

參與企業格局：頭部集中與多元競爭并存

全球SiC外延片市場已形成“頭部引領、本土崛起”的競爭格局，中國企業憑借政策支持與產業鏈優勢，在國內外市場中占據重要地位。

從全球范圍來看，瀚天天成表現突出，作為全球首家實現8英寸SiC外延片大批量外供的企業，灼識咨詢數據顯示，2024年其以31.6%的全球市場份額（銷量折合6英寸）位居全球第一，客戶覆蓋全球前五大SiC器件巨頭中的四家，累計交付超過50萬片碳化硅外延芯片。其市場地位依托于成熟的商業化能力與全球化客戶布局，形成了顯著的先發優勢。

在中國市場，競爭呈現高度集中態勢。弗若斯特沙利文數據顯示，以收入計，2024年中國SiC外延片市場前五大參與者均為中國公司，占據87.6%的收入份額，其中天域半導體以30.6%的收入（約4億元）占比和32.5%的銷量占比（約6.7萬片）成為行業領軍者之一，是國內首批實現4英寸、6英寸量產及8英寸量產的企業之一。與位列其后的中國公司形成了區域集中、技術互補的競爭格局。

此外，行業還涌現出一批各具優勢的參與者：湖南三安半導體憑借20余年化合物半導體經驗，構建了襯底與外延協同的技術能力；安意法半導體（重慶）作為三安光電與意法半導體的合資企業，建成國內首條8英寸車規級SiC功率芯片規模化量產線；普興電子、長飛先進、百識電子等企業則在6英寸量產與8英寸研發領域持續突破，共同構成了中國SiC外延片市場的多元競爭生態。

從市場格局來看，碳化硅外延片行業已初步形成了“獨立代工+垂直整合+IDM自產”三軌并行的競爭結構，與此同時，襯底龍頭企業也在加速向下游延伸，構建從材料到器件的完整鏈條，并形成梯隊分明、多元布局的競爭格局：

·第一梯隊：天域半導體、瀚天天成等，已實現6/8英寸規模化量產并占據主要市場份額；

·合資與專業代工：安意法半導體、重投天科、長飛先進等，聚焦車規級與特種工藝；

·新興力量：株洲中車、芯合半導體、飛锃半導體等，正在快速推進8英寸技術驗證與產能建設。

碳化硅外延片已初步形成梯隊分明、多元布局的競爭格局

產能布局與擴張：8英寸成增長核心，規模效應凸顯

伴隨下游需求爆發與技術成熟，SiC外延片行業進入產能擴張周期，6英寸維持穩定供給，8英寸成為產能布局的核心方向。

（一）整體產能規模持續擴大

從行業整體來看，綜合Omdia、Yole、灼識咨詢等機構數據，全球SiC外延片銷量從2020年的24.19萬片增至2024年的98.99萬片，預計2029年將進一步增至595.94萬片，年復合增長率顯著。國內企業產能擴張尤為積極：天域半導體現有總部基地年產能42萬片，2025年生態園生產基地將新增38萬片產能，總產能有望達80萬片，未來2年總產能有望進一步提升至160萬片/年；瀚天天成2024年產能為25.86萬片，計劃2029年將8英寸產能提升至46.3萬片/年，目標利用率超70%；長飛先進武漢基地于2025年投產后形成合計42萬片/年的碳化硅晶圓及外延產能；安意法半導體規劃達產后8英寸外延、芯片產能為48萬片/年，成為車規級領域的重要產能支撐。

（二）產品結構向8英寸傾斜

8英寸SiC外延片憑借顯著的規模效應成為產能擴張的核心方向。數據顯示，8英寸芯片面積較6英寸增加1.8倍，邊緣芯片比例由14%降至7%，裸芯片數量增加90%，大幅提升芯片利用率并降低單位成本。截至2024年，全球具備成熟8英寸SiC外延技術的公司不超過10家，中國已有天域半導體、瀚天天成、湖南三安等五家企業實現該技術突破。

企業層面，天域半導體2024年開始量產8英寸產品，2025年前五個月銷量達7772片，較2024年同期增長約350%；瀚天天成8英寸銷量從2023年的285片增至2024年的7466片，2025年前五個月進一步增至2914片；株洲中車、芯合半導體、飛锃半導體等企業也加速推進8英寸產線建設，預計2025年底至2026年將陸續釋放產能。

（三）6英寸仍維持重要地位

盡管8英寸增長迅猛，6英寸SiC外延片仍憑借成熟的生產工藝與成本優勢，在中長期內保持需求增長。Omdia、Yole、灼識咨詢等機構數據顯示，2024年全球6英寸SiC外延片銷量達82.28萬片，2020-2024年年復合增長率44.6%，預計2029年將增至216.05萬片。國內企業中，普興電子計劃2025年將6英寸產能提升至30萬片；天域半導體6英寸銷量2023年達125799片，占據其總銷量的96.3%，仍是當前收入的核心支撐。

技術突破與創新：8英寸商業化提速，性能持續優化

技術創新是SiC外延片行業發展的核心驅動力，當前行業聚焦于大尺寸化、缺陷控制、工藝優化三大方向，推動產品性能與良率持續提升。

（一）8英寸技術實現規模化突破

8英寸SiC外延片的商業化是行業最關鍵的技術里程碑。天域半導體2022年完成8英寸外延片研發，2024年實現量產，截至2025年5月已有14家潛在客戶完成驗證并部分下達訂單；瀚天天成通過優化溫度、壓力、氣流分布等工藝參數，解決了8英寸外延生長的核心技術難題，產品質量達到國際先進水平，成為全球首家實現8英寸大批量外供的企業；湖南三安8英寸碳化硅外延產能已達2000片/月（2025年6月末），產線實現通線；芯合半導體8英寸SiC產線首次流片即取得97.26%的高良率，展現出成熟的技術轉化能力。

（二）缺陷控制與均勻性提升成效顯著

缺陷密度與摻雜均勻性是決定SiC外延片性能的關鍵指標。瀚天天成開發的BPD-free外延生長技術，可將BPD位錯轉化率超99.9%，使外延芯片中BPD缺陷數量近乎為零；通過精確調整表面熱場、流場及碳硅比參數，其產品摻雜分布均勻性顯著提升；普興電子攻克6英寸車用大電流MOSFET碳化硅外延技術，填補國內空白；長飛先進、中電化合物等企業通過預蝕刻和緩沖層技術，有效減少襯底缺陷向外延層的延伸，顯著提升產品良率。此外，針對超高電壓器件需求，瀚天天成開發出厚度超200微米的外延層技術，僅含五個三角形缺陷，為IGBT等超高電壓碳化硅功率器件制造提供支撐。

（三）工藝優化推動成本下降

技術成熟度的提升直接帶動生產成本優化。國內制造商已能提供進口襯底的替代品，疊加生產效率提升與市場競爭加劇，碳化硅襯底全球平均售價從2020年的6400元降至2024年的4500元。同時，企業通過增加生長速率、優化工藝參數等方式，進一步降低單位生產成本，為行業規模應用奠定基礎。

產品價格走勢：持續下行后趨穩，結構分化明顯

受產能擴張、技術成熟、原材料降價等多重因素影響，全球SiC外延片價格呈現持續下行趨勢，但不同尺寸產品價格分化顯著，未來下降幅度將逐漸收窄。

（一）整體價格下行趨勢明確

2020-2024年，全球SiC外延片價格因原材料成本下降、技術成熟及產能提升持續走低。行業階段性供過于求進一步加劇了價格壓力，2024年SiC外延片及襯底市場價格下降明顯，天域半導體外延片平均售價從2023年的8831元降至2024年的6753元，瀚天天成6英寸產品價格也呈現逐年下降態勢。具體來看，6英寸SiC外延片2024年市場平均價格約為7300元/片，預計2029年將降至4400元/片，核心驅動因素為碳化硅襯底價格下降。

（二）不同尺寸價格分化顯著

大尺寸產品因技術壁壘較高，價格雖同樣下行但絕對值仍高于小尺寸產品，且下降幅度更為明顯。天域半導體數據顯示，2025年前五個月4英寸、6英寸、8英寸產品平均售價分別為2840元/片、3138元/片、8377元/片，較2024年同期分別下降42.5%、60.4%、52.1%；瀚天天成8英寸外延片銷售的平均售價從2023年的21000元/片降至2024年的13620元/片，2025年前五個月進一步降至8916元/片。價格差異反映了不同尺寸產品的技術成熟度與產能供給情況，8英寸產品仍處于“降價換量”的市場拓展階段。

（三）未來價格走勢趨穩

隨著SiC外延片產品加速迭代及下游應用需求持續增長，同尺寸產品價格下降幅度將逐漸縮小。一方面，下游電動汽車、儲能等領域的需求爆發將消化過剩產能，推動市場供需趨于平衡；另一方面，8英寸產品占比提升將在一定程度上支撐整體價格水平，疊加企業通過規模效應降低成本，行業價格有望逐步企穩。天域半導體、瀚天天成等企業通過“以價換量”策略擴大市場份額，2025年銷量均實現顯著增長，印證了價格調整對需求的刺激作用。

行業總結與展望

SiC外延片行業正處于技術迭代與市場擴張的關鍵期，8英寸商業化、產能規模化、技術精細化成為核心發展趨勢。企業層面，頭部企業憑借技術積累與產能優勢鞏固市場地位，中小企業則聚焦細分領域實現差異化競爭；技術層面，缺陷控制與大尺寸工藝持續突破，推動產品性能與成本性價比提升；市場層面，下游需求增長與政策支持（如中國《制造業可靠性提升實施意見》、歐盟《歐洲芯片法案》等）共同支撐行業長期發展。

未來，隨著8英寸產能持續釋放、技術成本進一步下降，SiC外延片將在更多新興領域實現滲透，行業市場規模有望持續擴大。但同時，企業需應對價格競爭、技術迭代及供應鏈波動等挑戰，通過技術創新、產能優化與客戶拓展構建核心競爭力，共同推動全球SiC外延片行業邁向高質量發展新階段。