21世紀經濟報道記者孫燕 無錫報道

“支撐AI大模型的底層基礎設施——服務器、數據中心、存儲，有望從2024年的1490億美元增長到2030年的3400億美元，是半導體市場中增長最快的部分。”11月19日，國際半導體產業協會（SEMI）中國總裁馮莉在2025年產業鏈供應鏈國際合作交流會暨企業家太湖論壇分論壇——集成電路產業鏈合作對接交流會上指出。

AI浪潮不僅點燃了以GPU為代表的邏輯芯片，也拉動了對存儲芯片的需求。

今年以來，三星、SK海力士等國際存儲巨頭逐漸將部分DRAM產能轉向HBM，同時將NAND產能聚焦于高層數、高性能產品，以滿足AI需求。

這一集體轉向也給存儲市場留下了供給缺口。至訊創新科技（無錫）有限公司董事長湯強指出，由AI算力基建驅動，2025年開始存儲芯片迎來了“超級周期”。“業內人士預計在接下來數年內，存儲芯片都會處于缺貨狀態。因此，這次周期也為存儲代工的發展提供了機會。”

“出于管理效率、成本控制等考慮，國際存儲大廠量產的技術節點通常不超過3-4代。當主流技術推進到300層左右時，100層以下的中低層數3D NAND逐漸被大廠放棄。”湯強指出。

這與當年大廠逐步淡出NOR Flash及部分2D NAND市場的邏輯如出一轍。

彼時，這一過程帶來了中低容量存儲器市場空缺，迅速被中國本土設計公司和晶圓代工廠填補：兆易創新、普冉股份、武漢新芯、東芯半導體等本土廠商，在NOR Flash和2D NAND領域獲得了大量代工訂單，市場份額快速提升。

湯強回顧道，最早的閃存代工主要指NOR Flash代工，兆易創新推動了NOR Flash代工生態的形成，目前NOR Flash代工市場大約有30億美元。近幾年間，2D NAND代工市場興起，這一市場規模約50億美元。“3D NAND代工的市場更大，大約在100億美元。”

目前3D NAND單顆芯片容量1Tb起步，2D SLC和 MLC容量覆蓋從數百Mb到數十Gb，數十Gb-1Tb容量點需要中低層數3D NAND（<128層）覆蓋。

“在幾十Gb到1Tb之間，主要靠庫存和極少數產能在支撐，但這一市場的客戶需求巨大，還有AR眼鏡等新型應用需求出現。”湯強指出。

供需錯配之下，市場上已經出現存儲急單。如11月17日，中芯國際在投資者關系活動記錄表中表示，該公司承接了大量存儲包括NOR/NAND Flash等急單。“當前AI產業占據了大量產能，導致主流供應商逐步退出碎片化、少量多樣的細分市場。這一轉變給眾多中小規模供應商帶來重要機遇，而他們中許多正是我們的客戶。”

眼下，隨著國際存儲大廠主動戰略收縮，也給國內帶來了歷史性機遇。

“3D NAND和邏輯芯片有90%的機臺可以共線，只要投入10%的專用機臺，就能夠拉動3D NAND產線。從提升產能利用率的角度考慮，3D NAND代工最好是基于28-40nm的邏輯芯片產線擴展共線。”湯強告訴記者，一方面，此前NOR Flash和2D NAND代工也是與邏輯芯片共線；另一方面，國內的邏輯芯片產能較多，長三角尤其有優勢。

以無錫為例，華虹無錫擁有月產能近10萬片的12英寸生產線，雖然其主力產品是邏輯芯片，但其成熟的工藝平臺完全具備支持3D NAND所需的部分配套芯片或特殊工藝的制造能力。

湯強指出，在需求方面，江蘇及長三角地區的智能終端、新能源汽車、AI等產業對存儲芯片需求旺盛，Fab的代工業務能輕松對接本地海量客戶，獲取穩定訂單，還能依托無錫綜保區等平臺對接國際客戶，拓展海外市場。

同時在供給方面，江蘇已形成密集的集成電路產業集群，無錫聚集華潤微電子、盛合晶微、長電科技等眾多龍頭企業，能夠形成完善的存儲產業鏈閉環。存儲芯片代工也能串聯起這些環節，形成“研發-制造-封裝-測試-應用”的完整生態。

新“風口”之下，江蘇既有以無錫SK海力士為代表的IDM制造基地，也有以華虹、中芯為代表的代工廠，更有以長電科技為代表的封測龍頭和配套產業，或有望成為全球存儲產業鏈中一個不可或缺的戰略節點。