IT之家 11 月 17 日消息，三星力求在 2 納米時代重振其晶圓代工業務，目前看來已步入正軌。該公司近日公布了其下一代制程工藝的首批量產成果，顯示出相較前代工藝顯著的性能提升。即將搭載于 Galaxy S26 的 Exynos 2600 芯片即采用該工藝制造。此外，據稱三星已成功為這一先進制造技術爭取到其他芯片客戶。

據 Dailian 報道，三星在其第三季度財報中披露，其第一代 2 納米全環繞柵極（Gate-All-Around, GAA）制程相較于第二代 3 納米技術有了顯著提升：性能提升 5%，能效提升 8%；芯片面積更縮減了 5%，表現頗為亮眼。

近年來，三星晶圓代工部門持續面臨行業龍頭、同時也是主要競爭對手臺積電（TSMC）的激烈競爭。根據 2025 年第二季度數據，臺積電在全球晶圓代工市場所占份額已超 70%。不過，行業分析人士普遍認為，向 2 納米技術的過渡有望為三星縮小與臺積電的差距創造契機。

據IT之家了解，三星與臺積電均在 2 納米節點采用 GAA 架構，但兩者技術路徑存在差異：臺積電系首次在 2 納米節點引入 GAA，而三星早在其上一代 3 納米制程中已率先應用該架構。這意味著三星在 GAA 技術上已積累了一代量產經驗，或具備一定先發優勢。其實際競爭力如何，尚待搭載 Exynos 2600 芯片的 Galaxy S26 手機正式上市并接受市場檢驗后方能揭曉。

關鍵仍然在于良率，通常認為 60% 以上的良率適合量產。臺積電在 2 納米工藝上實現了約 80% 的良率，被認為已進入穩定量產階段。據悉，三星電子已將良率提升至 50%~60% 的水平。