快科技10月30日消息，今年以來，DRAM內(nèi)存、NAND閃存售價(jià)持續(xù)上漲，內(nèi)存、硬盤價(jià)格也水漲船高，引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。

據(jù)央視報(bào)道，本輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格大漲，是全球市場多重因素疊加共振的結(jié)果。

一方面，為追求更高利潤，全球主要存儲(chǔ)芯片廠商把大量產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向用于人工智能和數(shù)據(jù)中心的高端芯片，導(dǎo)致傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)銳減。

另一方面，存儲(chǔ)芯片行業(yè)本身具有周期性，在經(jīng)歷前期價(jià)格低迷后，廠商主動(dòng)減產(chǎn)去庫存，加快了供需關(guān)系逆轉(zhuǎn)，推動(dòng)價(jià)格進(jìn)入上行周期。

從9月起，存儲(chǔ)芯片價(jià)格開始上漲，進(jìn)入四季度后漲勢加快，下游廠商爭相備貨，有生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，仍然供不應(yīng)求。

某半導(dǎo)體公司負(fù)責(zé)人表示，存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨市場漲價(jià)幅度有60%到80%不等，個(gè)別暢銷存儲(chǔ)芯片型號(hào)漲價(jià)達(dá)到100%。

據(jù)了解，存儲(chǔ)芯片應(yīng)用廣泛，需求持續(xù)放大，后續(xù)仍有很大的市場潛力。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，綜合當(dāng)前市場需求旺盛、供給短缺及產(chǎn)業(yè)周期上行等多重因素，本輪存儲(chǔ)芯片的價(jià)格強(qiáng)勢預(yù)計(jì)還會(huì)持續(xù)一段時(shí)間。