近日英偉達創始人兼首席執行官黃仁勛到訪臺積電（TSMC），是其今年第三次來到中國臺灣，而這次主要是為了即將到來的Rubin平臺量產做準備。黃仁勛還與臺積電董事長兼首席執行官魏哲家見面，表達了對臺積電的感謝。

據TrendForce報道，Rubin平臺將于10月進入試產階段，最終設計在2026年3月完成，然后在2026年第二季度開始大規模量產。按照黃仁勛的說法，英偉達在臺積電共有6款新芯片流片，包括CPU、GPU、升級后的NVlink Switch、新型網絡芯片、硅光子處理芯片等。其中Rubin GPU和Vera CPU都將采用3nm工藝制造，比預期提早了一個季度進行流片。

Rubin將是英偉達首個采用chiplet設計的GPU，計算模塊部分選擇了N3P工藝，I/O模塊則是N5B工藝，然后通過SoIC封裝將兩個計算模塊和I/O模塊集成在一起，另外還搭配了HBM4，以提供更高的帶寬。英偉達在Rubin GPU上的重點是追求更高的能耗比，由于數據中心不斷增長的電力需求，迫使英偉達選擇了這一策略。與Rubin GPU一同到來的還有Vera CPU，將采用Arm新一代架構，Vera Rubin組合將取代現有的Grace Hopper和Grace Blackwell產品。

有供應鏈消息人士估計，Rubin架構產品的產量將比上一代高出50%，有望推動臺積電3nm產能利用率，以得到更充分利用。