12 月 4 日消息，據兩家韓國姊妹媒體 hankyung、KED Global 近兩日報道，SK 海力士將為定制 HBM4 內存導入更為先進的臺積電 3nm 工藝基礎裸片，以響應英偉達等美國大型科技企業的需求。

隨著 HBM 內存的演進，基礎裸片（即 base Die、Logic Die、Interface Die）承擔的工作也愈發復雜，到 HBM4 世代基礎裸片將全面轉向邏輯半導體工藝并支持客戶定制電路，以提升 AI 半導體運行效率。

SK 海力士的 HBM4 基礎裸片將由臺積電代工，此前臺積電就已展示過 N12FFC+ 制程“性價比”款和 N5 制程“高性能”款設計，而 3nm 版本有望進一步提升 20%~30% 性能。

▲ SK 海力士的 HBM 芯片，此面為底面即靠近基礎裸片的表面

據悉，SK 海力士的標準款 HBM4 仍將采用 N12FFC+ 基礎裸片，而定制產品則將從此前考慮的 5nm 升級至 3nm。另外一方面，三星電子的 HBM4 基礎裸片將導入 4nm 制程。

SK 海力士此前曾表示將于 2025 下半年推出首批 HBM4 產品，三星電子的時間表也大致相當。