10 月 23 日消息，一汽紅旗昨日宣布，由研發總院新能源開發院功率電子開發部自主設計的碳化硅功率芯片完成首次流片。

▲ 圖源紅旗研發新視界

獲悉，該款碳化硅功率芯片從產品核心指標定義、襯底與外延材料選擇、元胞結構設計、動靜態性能仿真、工藝仿真、版圖設計、晶圓流片到晶圓封測，實現全鏈條主導開發。

官方表示，該款芯片聚焦整車電驅動、智慧補能、車載電源、高壓配電、電動化底盤等系統應用需求，創新采用低導通電阻元胞結構、高元胞密度版圖、高可靠性終端結構及片上柵極電阻集成技術，實現擊穿電壓超過 1200V，導通電阻小于 15mΩ，力求在效率、可靠性、集成化及標準化方面實現均衡設計。