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10月16日，方正微電子發文稱，公司作為第三代半導體領域的IDM企業，當前有兩個fab。Fab1當前已實現SiC產能9000片/月（6英寸），預計2024年底產能將達到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規SiC MOS生產能力，GaN當前產能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生產線將于2024年底通線，長遠規劃產能6萬片/月。此外，方正微電子當前已建成的車規SiC MOS生產能力，中國第一。

當前，方正微電子系列產品覆蓋了新能源汽車應用的全場景：1200V 16m/18m/20mΩ應用于主驅逆變控制器，1200V 35m/60m/85mΩ應用于OBC，1200V 60m/85mΩ應用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ應用于空調壓縮機，1200V 16m/20m/35m/60mΩ應用于充電樁等場景。方正微電子車規1200V SiC MOS產品已經規模應用，特別是在新能源汽車主驅控制器上規模上車。

方正微電子表示，公司車規SiC MOS 1200V全系產品的性能已達到國際當前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驅控制器應用芯片為例，其Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等核心性能關鍵指標，可媲美當前高端新能源車上應用的國際同行SiC MOS產品，個別指標領先，完全符合新能源汽車應用需求。

據悉，方正微電子工規SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列產品早已于2023年一季度開始大規模量產，廣泛應用在光伏、儲能、充電、UPS、工業電源等領域，目前已出貨SiC晶圓超4萬片。

（轉自：第三代半導體產業）