寫在開頭

關(guān)注DIY硬件的玩家，這段時間應該都很激動。前有的銳龍9000系列處理器，帶來了更強的性能釋放與更高的頻率支持；接下來還有的酷睿Ultra系列處理器殺到，它對內(nèi)存頻率的支持應該會更進一步。那DDR5內(nèi)存有什么好的選擇嗎？還真有！最近KEYMOS科摩思再度放大招，進軍消費類電競內(nèi)存，我們本次上手的是KEYMOS科摩思最新推出的承影機甲系列DDR5電競內(nèi)存，不僅有超低時序的6000MHz C28版本，還有6800MHz C34版本做對比。

這里給不知道科摩思的朋友科普一下，科摩思是深圳超盈智能科技推出的子品牌，而超盈蟄伏存儲行業(yè)13年，專注于芯片封裝測試和嵌入式存儲，產(chǎn)品涵蓋嵌入式存儲、消費類存儲及便攜式存儲等。13年的技術(shù)積累和專業(yè)經(jīng)驗就是你選擇它的最好保障，當然了，KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存的體驗如何，口說無憑，還得真刀真槍的測試過才好下結(jié)論，下面跟我一起來看看吧！

產(chǎn)品開箱&內(nèi)存賞析

外包裝上，KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存盡顯年輕化的特色。包裝大面積的采用深邃而神秘的墨綠色，不僅彰顯了產(chǎn)品的年輕化定位，也與產(chǎn)品名稱中的“機甲”概念相得益彰，營造出一種未來科技的氛圍。右側(cè)還加入了KEYMOS科摩思的IP形象，大大增強了品牌識別度，也為產(chǎn)品增添了一份獨特個性和趣味性。

左下角則是這款內(nèi)存的名字及規(guī)格——KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存，其中承影機甲系列是KEYMOS科摩思以南天門計劃的問天戰(zhàn)甲為理念所設計，為追求極致體驗的玩家所作。

包裝背面的頂部是關(guān)于KEYMOS科摩思的品牌介紹，右側(cè)則開了一個小窗口，能夠看到內(nèi)存的各項信息，如時序、頻率以及容量等，這個設計也讓玩家能夠第一時間看到自己購買的產(chǎn)品，確保規(guī)格一致。

包裝內(nèi)含承影機甲內(nèi)存條、產(chǎn)品說明書和南天門計劃的卡片。我們這次上手的是玉蘭白配色，另外KEYMOS科摩思還提供玄鐵黑、太空銀兩種配色，質(zhì)感出眾，能夠適配不同主題的裝機，打造最佳顏值性能PC。

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存在外觀設計上走的是簡約雅致的風格，純白的主題配色一眼吸睛。

拉近看內(nèi)存的馬甲設計，據(jù)KEYMOS科摩思的說法，馬甲為CNC和氧化工藝打造，表面是2條長短鋒利線條裝飾，不僅輪廓分明，也能大大增加顆粒與馬甲的接觸面積。從線條的流暢性及分布的層次感，呈現(xiàn)出一種剛勁與凌厲并存的美感。

除此之外，散熱馬甲也很有分量，KEYMOS科摩思使用的是1.5mm厚實金屬散熱片，比普通馬甲（0.5mm）厚度增強3倍，對比普通馬甲來說，散熱效果高出約20%，即便內(nèi)存高速運行，它也能持續(xù)穩(wěn)定發(fā)揮出最佳性能。

另外，這款內(nèi)存還設有專門為內(nèi)存超頻設計的PMIC電源管理芯片。實測它是不鎖電壓，玩家可在BIOS中輕松將電壓調(diào)制1.5V，以達到高頻率下穩(wěn)定運行的效果。內(nèi)存顆粒則是大名鼎鼎的海力士A-die顆粒，專為超頻而生，加上PMIC不鎖電壓設計，手動超頻潛力應該不俗。

當然，ON-die ECC精準糾錯也是DDR5內(nèi)存的標配了，KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存上也有這項技術(shù)，它可以自動檢測和糾正內(nèi)存中可能出現(xiàn)的錯誤，確保數(shù)據(jù)的準確性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性，尤其適合對數(shù)據(jù)完整性要求較高的專業(yè)應用場景。DDR5雙通的全新架構(gòu)還能進一步降低延遲，提高數(shù)據(jù)傳輸，做到低時延、快傳輸、高準確。

堆料足夠優(yōu)秀，而做工方面，KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存同樣扎實，在細節(jié)上毫不妥協(xié)，從這個角度看去，PCB內(nèi)部的顆粒與金屬散熱馬甲貼合緊實。除此之外，無論是PCB的走線還是金手指的工藝，處處都能體現(xiàn)出了大廠的精細做工。

聊完了配置，我們再實際上機看看。不得不說純白設計還是相當吸睛的，特別是搭配白色主題的海景房裝機，RGB照射在雪白的馬甲上，別有一番韻味。

測試平臺介紹

正式開始測試前，照例先介紹一下我們的測試平臺。CPU處理器上，我們選擇的是目前imc體質(zhì)最佳的Intel i5-14600K處理器。

主板則是華碩最新推出的Z790 AYW OC WIFI哎呦喂主板，你可不要小瞧了這張主板，它對內(nèi)存超頻進行了特別優(yōu)化，具備超強的內(nèi)存超頻能力，江湖甚至人稱“小APEX”~具體平臺配置如下所示：

性能測試

通電開機先進BIOS，在OC/MEMORY-Z板塊里可以查看兩款內(nèi)存的SPD信息。KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存包含一個默認的JEDEC-5600MHz，其中6000MHz C28版本則還包含一個XMP-6000MHz以及一個AMD專用的EXPO-6000MHz；6800MHz C34同樣內(nèi)置了XMP以及EXPO檔位。

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存 6000MHz C28

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存 6800MHz C34

進入系統(tǒng)，我們打開CPU-Z，這里可以顯示當前的硬件信息。如本次的測試平臺為華碩Z790 AYW主板，搭配的是i5-14600K+RTX 4070 SUPER。當然，這里我們著重看內(nèi)存信息，軟件內(nèi)顯示與BIOS的SPD信息基本一致，KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存的默認頻率為JEDEC最新標準5600MHz，時序為46-45-45-90，電壓1.10V。內(nèi)置XMP以及EXPO兩種檔位，6000MHz版本的時序低至C28-36-36-73；如果你選擇的是6800MHz，時序則是C34-45-45-108。

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存 6000MHz C28

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存 6800MHz C34

打開AIDA64或HWINFO64，這里可以更詳細的看到內(nèi)存的信息，能夠幫我們進一步了解這款內(nèi)存，例如我們手上兩款KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存搭載的是海力士的原廠高性能A-die顆粒，當之無愧的超頻利器。

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存 6000MHz C28

并且還是4.1版本，對內(nèi)存有研究的玩家一定不陌生，這個版本的顆粒，輕松上8000MHz都沒問題。除此之外，我們還可以看到顆粒是，2024年9月中旬左右生產(chǎn)，新鮮出爐。

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存 6800MHz C34

理論性能測試

理論測試部分，首先用7Zip的數(shù)據(jù)壓縮與解壓縮項目對KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存進行測試。實測JEDEC-5600MHz下，壓縮測試得分為125.474 GIPS，解壓縮測試得分為134.054 GIPS，整體測試得分為129.764 GIPS。開啟XMP-6000MHz后，各項成績均有不同程度的提升，壓縮得分136.787 GIPS，提升約8%，解壓縮則小幅上漲至137.822GIPS，總評137.305 GIPS，對比默認5600MHz，整體性能強約5%左右。如果頻率繼續(xù)提升至6800MHz，那壓縮性能還能再強一些，138.268 GIPS的表現(xiàn)相比默頻要高了10%。

內(nèi)存頻率除了對解壓縮有提升外，更高的內(nèi)存頻率對處理器的單核、多核性能也有影響。例如：JEDEC-5600MHz下，14600K的單核2856，多核16251；開啟XMP-6000MHz后，單核成績小幅度上漲至2922，多核成績則有比較大的提升，來到了17112分，提升約5%左右。繼續(xù)提升頻率至6800MHz，單核成績再漲至2939，多核也能提升近200分，17317分的表現(xiàn)就足以說明高頻內(nèi)存能夠讓CPU更好的釋放性能，提升使用體驗。

緊接著登場的是內(nèi)存跑分界的“3DMark”——AIDA 64 Memory Benchmark，它可以更直觀的反應不同頻率下內(nèi)存的性能釋放。實測成績?nèi)缦拢琂EDEC-5600MHz下，KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存的讀取、寫入、復制以及延時成績分別為82247 MB/s、83212MB/s、79458 MB/s以及80.8 ns。有一說一，這個性能釋放相比一般的DDR5內(nèi)存要高不少，是我見過的DDR5內(nèi)存里數(shù)一數(shù)二的水準了。

當然，如果你開啟XMP之后，性能還能提升不少。首先看XMP-6000 C28的表現(xiàn)，首先最直觀的就是內(nèi)存的性能有了大幅提升，延遲表現(xiàn)也更優(yōu)秀，直接來到了67.4 ns。

開啟XMP-6800MHz后，配合C34的超低時序，此時讀取、寫入、復制等性能更是有了大幅度提升，讀取性能直接來到了98179 MB/s，寫入更是直逼100 GB/s，相比起JEDEC-5600MHz的表現(xiàn)，現(xiàn)在的性能釋放要強約15%左右！

創(chuàng)作性能測試

理論性能過后，我們再試試內(nèi)存頻率對創(chuàng)作性能的影響。先上點硬菜，大多數(shù)用戶的創(chuàng)作場景都是圖像編輯與視頻剪輯。我們這里也是用UL Procyon的相關(guān)測試，實際模擬了這兩大場景。實測內(nèi)存頻率對創(chuàng)作影響還是比較大的，特別是對內(nèi)存頻率比較敏感的LR、PS軟件里，看下圖的結(jié)果就知道了，6000MHz甚至6800MHz的內(nèi)存頻率在圖像編輯測試里得分比5600MHz高出不少，性能提升分別為6%與8%。視頻剪輯部分也有一定程度的提升，反映在實際場景就是渲染導出會更快一些。

另外，高頻內(nèi)存對3D渲染的提升還是有的，像我們熟悉的Blender測試里，XMP-6800MHz的表現(xiàn)明顯要優(yōu)于JEDEC-5600MHz，有的項目性能差距達到了5%，這還只是開了XMP的情況，如果頻率更高，那對渲染的性能提升還會更可觀一些。總的來說，大家在創(chuàng)作場景里盡可能選擇大容量、高頻率的內(nèi)存，它能夠提升你的創(chuàng)作體驗與工作效率。

游戲性能測試

游戲性能才是不少玩家關(guān)注的重點。先看《極限競速：地平線5》，默認5600MHz運行基準測試，測得1080P游戲平均幀為176 FPS， CPU渲染為199 FPS，CPU模擬為296 FPS。開啟XMP，將內(nèi)存頻率提升至6000MHz后，游戲平均幀小幅上漲，CPU的模擬相比5600MHz提升了約7-8%左右。

如果將XMP調(diào)至6800MHz，游戲平均幀能夠提升至181 FPS，CPU渲染則為204.3 FPS，相比5600MHz下的表現(xiàn)提升了3%，而CPU模擬則是323.8 FPS，提升幅度最大，已經(jīng)快10%的漲幅了，相當強勢。

看完了3A，我們再看看網(wǎng)游方面的表現(xiàn)，先是《永劫無間》，實測內(nèi)存頻率對這款游戲的影響還是蠻大的。特別是對于1% Low幀來說，5600MHz時，游戲平均幀240 FPS，1% Low為120 FPS，開啟XMP以后，無論是6000MHz還是6800MHz，平均幀與1% Low都有不同程度的增長。其中6000MHz下游戲1% Low幀為146 FPS，6800MHz的則是152 FPS，二者對比5600MHz分別提升了8%和12%。

《CSGO 2》中同樣明顯，看下圖就知道了，隨著內(nèi)存頻率的提升，游戲的1% Low幀有了驚人提升。5600MHz下時，游戲1% Low為113.9 FPS，而開了XMP后，6000MHz下，1% Low已經(jīng)有179.8 FPS，反映在游戲中就是你的體驗更加絲滑，卡頓或者跳幀的情況更少，能夠大大提升游戲體驗，特別是這種追求FPS的游戲，更高的1% Low往往就是決勝的關(guān)鍵。

除了1% Low有提升以外，游戲的平均幀也有一定程度的提升。例如5600MHz下游戲平均幀為331.3 FPS，而內(nèi)存超頻至6800MHz以后，游戲平均幀就有344.3 FPS了，提升了約10 FPS以上，如果你的內(nèi)存頻率更高，應該這個幀數(shù)還能繼續(xù)上漲。不知道選什么內(nèi)存的玩家，不妨看看KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存，一鍵XMP盡享高頻低時序帶來的流暢電競體驗。

6000MHz的超頻潛力測試

最后，當然少不了極客玩家心心念念的內(nèi)存超頻環(huán)節(jié)。這次我們拿6000MHz內(nèi)存來超頻，先試試7200MHz。實測C36的時序能夠輕松點亮7200MHz，此時這款內(nèi)存的讀取、寫入、復制速度均突破了100 GB/s，這個表現(xiàn)還是相當驚人的，相比XMP-6800MHz提升巨大，提升最大有10%以上， 7Zip的解壓縮測試成績也小幅上漲。

我們繼續(xù)超頻，還是C36-48-48-128的參數(shù)，點亮7600MHz一點問題沒有。值得一提的是，對比上面的7200MHz，無論是AIDA 64的內(nèi)存性能還是7Zip的解壓縮，都提升非常大。其中讀取速度來到了111.87 GB/s，提升近5%；寫入速度115.72GB/s，漲幅也是5%以上%；復制速度則是107.44，延遲則壓到了60 ns以內(nèi)。

8000MHz就是DDR5內(nèi)存的分水嶺了，眾所周知，只有海力士A-die才能沖擊這種超高頻率。我們手上的KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存沒有一絲拖泥帶水，C36時序輕松點亮，寫入與復制成績還在穩(wěn)步提升，其中寫入速度已經(jīng)來到了121.29 GB/s，復制則漲幅最大，115.16 GB/s的表現(xiàn)相比7600MHz時又提升了3%左右。延遲就更狠了，直接壓到了56 ns，相當強勢。

我們繼續(xù)沖擊高頻，8200MHz成功達成，時序還是C36-48-48-128，此時的內(nèi)存性能分別是：讀取119.33 GB/s、寫入124.68 GB/s、復制116.81 GB/s、延遲55.3 ns。如果對比XMP-6000MHz的表現(xiàn)，7zip的性能大約提升了11%左右，而內(nèi)存讀寫的提升就夸張了，最大性能漲幅有30%左右！

當然，如果你有更強勢的設備，相信KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存的極限遠不止于此，現(xiàn)在沖擊8000+MHz就是有手就行！追求極致性能的玩家完全可以考慮這款內(nèi)存，卓越的超頻潛力一定能夠給你帶來驚喜。

評測總結(jié)

KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存的性能確實令人印象深刻，為用戶帶來了無需任何額外調(diào)整即可享受的流暢體驗。不僅有6000MHz C28超低時序的版本可選，也提供了6800MHz C34的版本，既滿足了時下銳龍9000系列處理器的甜點配置，Intel平臺玩家也能憑借它沖擊更高的頻率。

而說到超頻，這才是我對這款內(nèi)存最驚喜的地方。搭載海力士A-die顆粒的KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存，再配合不鎖電壓的PMIC和ON-Die ECC糾錯，展現(xiàn)出了卓越的超頻潛力。從上面的測試成績可以看到，上到8200MHz對于它來講是非常輕松的，配合更好主板和CPU，沖擊8400MHz應該不成問題，8200MHz遠遠不是它的終點！

最后就是售價了，目前KEYMOS科摩思承影機甲DDR5電競內(nèi)存已經(jīng)上架京東科摩思存儲官方旗艦店，6000MHz C28超低時序版本低至429元起,6000MHz C32京東價409元，6800MHz C34京東價419元。有一說一，性價比還是相當高的，6000MHz的售價，但卻能實現(xiàn)8000+MHz的性能，閉眼沖就完了~