臺(tái)積電正加速擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)人工智能芯片需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)。

12月11日，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者透露，臺(tái)積電與日月光集團(tuán)、Amkor、聯(lián)電等非臺(tái)積陣營(yíng)雙雙加速擴(kuò)充CoWoS產(chǎn)能，2026年底臺(tái)積電月產(chǎn)能將達(dá)12.7萬(wàn)片，而非臺(tái)積陣營(yíng)產(chǎn)能也從原預(yù)期的2.6萬(wàn)片激增至4萬(wàn)片，調(diào)升幅度超過(guò)5成。

在客戶份額分布上，英偉達(dá)繼續(xù)主導(dǎo)市場(chǎng)，包下臺(tái)積電CoWoS過(guò)半產(chǎn)能，全年預(yù)訂量達(dá)80萬(wàn)至85萬(wàn)片。緊隨其后的博通2026年約取得逾24萬(wàn)片產(chǎn)能，主要供應(yīng)meta與谷歌TPU等客戶。AMD位居第三，而聯(lián)發(fā)科也正式進(jìn)入ASIC賽局，預(yù)訂近2萬(wàn)片產(chǎn)能。

這一產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃與摩根士丹利11月的預(yù)測(cè)基本吻合。據(jù)追風(fēng)交易臺(tái)消息，該行當(dāng)時(shí)預(yù)計(jì)臺(tái)積電CoWoS月產(chǎn)能將達(dá)12萬(wàn)至13萬(wàn)片，較此前估計(jì)的10萬(wàn)片大幅上調(diào)超過(guò)20%。此舉旨在匹配新增的3nm前端晶圓產(chǎn)能，以滿足AI芯片的巨大需求。

值得注意的是，華爾街見(jiàn)聞此前文章稱，在英偉達(dá)CEO黃仁勛訪臺(tái)尋求下一代"Rubin"平臺(tái)產(chǎn)能后，臺(tái)積電決定增加每月2萬(wàn)片的3nm前端晶圓產(chǎn)能，進(jìn)而帶動(dòng)后端先進(jìn)封裝產(chǎn)能同步提升。

GPU與ASIC需求同步爆發(fā)

臺(tái)積電與非臺(tái)積陣營(yíng)的產(chǎn)能擴(kuò)張決策源于GPU與特用芯片（ASIC）客戶需求均超出預(yù)期。

據(jù)報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者證實(shí)，盡管近期谷歌TPU聲名大噪，市場(chǎng)不斷涌現(xiàn)ASIC陣營(yíng)侵蝕版圖的看法，但半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)者多認(rèn)為，擁有CUDA護(hù)城河的英偉達(dá)仍是大型模型訓(xùn)練的主導(dǎo)者。

英偉達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛強(qiáng)調(diào)，GPU與ASIC的定位完全不同。業(yè)界普遍認(rèn)為，ASIC以客制化、低功耗與推論效率見(jiàn)長(zhǎng)，兩者發(fā)展為"共生共榮非互斥"關(guān)系。

根據(jù)訂單分布，英偉達(dá)2027年隨著產(chǎn)能增加，包攬過(guò)半產(chǎn)能的比重將保持不變。與meta和Google TPU等客戶合作的博通，成為僅次于英偉達(dá)的第二大客戶。

報(bào)道稱，除了英偉達(dá)AI GPU既有供應(yīng)鏈已相當(dāng)完整，Google領(lǐng)軍的ASIC供應(yīng)鏈成長(zhǎng)動(dòng)能備受期待。AWS、xAI等ASIC芯片產(chǎn)能也將陸續(xù)開(kāi)出。

這一賽道涵蓋硅品、聯(lián)發(fā)科、創(chuàng)意、世芯、聯(lián)亞、旺硅、穎崴、致茂、金像電等多家大廠。

IC測(cè)試設(shè)備大廠鴻勁直言，來(lái)自ASIC客戶訂單將在2026年下半全面爆發(fā)。聯(lián)發(fā)科正式進(jìn)入ASIC賽局，2026年取得近2萬(wàn)片產(chǎn)能，標(biāo)志著這一市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局進(jìn)一步擴(kuò)大。

除此之外，據(jù)環(huán)球網(wǎng)消息，美國(guó)正式批準(zhǔn)英偉達(dá)向中國(guó)出口其高階H200 AI GPU，英特爾和AMD等也將松綁，三大廠重返中國(guó)AI市場(chǎng)。

對(duì)此，報(bào)道指出，盡管美國(guó)政府將對(duì)其銷售總額抽成25%，但設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，這已比全面禁止、利潤(rùn)歸零來(lái)得好。若H200可順利銷往中國(guó)，英偉達(dá)未來(lái)1年的4nm與CoWoS訂單可望再略為上修，“臺(tái)積電大聯(lián)盟也將錦上添花”。

下世代封裝技術(shù)部署提速

據(jù)摩根士丹利分析師Tiffany Yeh等人在17日的研報(bào)中稱，在黃仁勛訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣尋求為其下一代"Rubin"平臺(tái)確保產(chǎn)能后，臺(tái)積電已決定增加每月2萬(wàn)片的3納米前端晶圓產(chǎn)能。

根據(jù)摩根士丹利的AI追蹤報(bào)告，臺(tái)積電此次決定增加2萬(wàn)片3nm前端晶圓產(chǎn)能，促使公司同步規(guī)劃CoWoS產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。分析顯示，CoWoS產(chǎn)能到2026年底至少將達(dá)到每月12-13萬(wàn)片，較原先預(yù)期的每月10萬(wàn)片基礎(chǔ)大幅提升。

摩根士丹利指出，CoWoS作為先進(jìn)封裝技術(shù)，是支撐高性能AI芯片的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著3nm制程進(jìn)入量產(chǎn)階段，配套的封裝產(chǎn)能必須同步擴(kuò)張，才能滿足AI客戶的交付需求。

值得注意是，摩根士丹利最初預(yù)計(jì)臺(tái)積電2026年的3納米產(chǎn)能約為14萬(wàn)至15萬(wàn)片/月，但最新信息表明，這一數(shù)字可能被上調(diào)至16萬(wàn)至17萬(wàn)片/月。

如果該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃得以實(shí)施，將對(duì)臺(tái)積電的資本支出產(chǎn)生直接影響。據(jù)估算，新增產(chǎn)能將需要約50億至70億美元的額外資本支出，從而可能將臺(tái)積電2026年的總資本支出從目前約430億美元的預(yù)期，推高至480億至500億美元的區(qū)間。

此外，臺(tái)積電2027年也將精進(jìn)CoWoS技術(shù)，以滿足AI對(duì)更多邏輯和高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）的需求，屆時(shí)會(huì)量產(chǎn)9.5倍光罩尺寸的CoWoS，進(jìn)而能以臺(tái)積先進(jìn)邏輯技術(shù)將12個(gè)或更多的HBM堆棧整合到一個(gè)封裝中。